[发明专利]固体摄像元件

权利要求书

1.一种固体摄像装置，其具有排列在基板上的固体摄像元件，其特征在于，上述固体摄像元件包括：

形成在基板上的信号线；

配置在上述信号线上的岛状半导体；

与上述岛状半导体的上部相连接的像素选择线，

上述岛状半导体包括：

配置在上述岛状半导体的下部、与上述信号线相连接的第1半导体层；

与上述第1半导体层的上侧邻接的第2半导体层；

隔着绝缘膜与上述第2半导体层相连接的栅极；

与上述第2半导体层相连接、由受光时电荷量会发生变化的第3半导体层构成的电荷积蓄部；

与上述第2半导体层和上述第3半导体层的上侧邻接、与上述像素选择线相连接的第4半导体层，

将上述固体摄像元件在基板上排列成蜂窝状。

2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，上述信号线是n+型扩散层，上述第1半导体层是n+型扩散层，上述第2半导体层是p型杂质添加区域，上述第3半导体层是n型扩散层，上述第4半导体层是p+型扩散层。

3.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其中，

上述p+型扩散层和n型扩散层起到光电转换用光电二极管的作用，

上述p+型扩散层、n型扩散层和p型杂质添加区域起到放大用晶体管的作用，

上述第1半导体层的n+型扩散层、p型杂质添加区域、n型扩散层和栅极起到复位晶体管的作用，

上述p型杂质添加区域和n+型扩散层起到二极管的作用。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的固体摄像装置，其中，上述岛状半导体为圆柱状。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的固体摄像装置，其中，上述岛状半导体为六棱柱状。

6.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，上述第2半导体层的一部分为圆柱状，上述栅极隔着上述绝缘膜包围上述第2半导体层的一部分的外周。

7.根据权利要求6所述的固体摄像装置，其中，上述第2半导体层的另一部分为圆柱状，上述第3半导体层包围上述第2半导体层的上述另一部分的外周。

8.一种固体摄像装置，其具有排列在基板上的固体摄像元件，其中，上述固体摄像元件包括：

形成在基板上的信号线；

配置在上述信号线上的岛状半导体；

与上述岛状半导体的上部相连接的像素选择线，

上述岛状半导体包括：

配置在上述岛状半导体的下部、与上述信号线相连接的第1半导体层；

与上述第1半导体层的上侧邻接的第2半导体层；

隔着绝缘膜与上述第2半导体层相连接的栅极；

与上述第2半导体层相连接、由受光时电荷量会发生变化的第3半导体层构成的电荷积蓄部；

与上述第2半导体层和上述第3半导体层的上侧邻接、与上述像素选择线相连接的第4半导体层，

上述固体摄像元件在基板上以n行m列排列成矩阵状，其中，n、m大于等于1，

上述岛状半导体为圆柱状。

9.一种固体摄像装置，其具有排列在基板上的固体摄像元件，其中，上述固体摄像元件包括：

形成在基板上的信号线；

配置在上述信号线上的岛状半导体；

与上述岛状半导体的上部相连接的像素选择线，

上述岛状半导体包括：

配置在上述岛状半导体的下部、与上述信号线相连接的第1半导体层；

与上述第1半导体层的上侧邻接的第2半导体层；

隔着绝缘膜与上述第2半导体层相连接的栅极；

与上述第2半导体层相连接、由受光时电荷量会发生变化的第3半导体层构成的电荷积蓄部；

与上述第2半导体层和上述第3半导体层的上侧邻接、与上述像素选择线相连接的第4半导体层，

上述固体摄像元件在基板上以n行m列排列成矩阵状，其中，n、m大于等于1，

上述岛状半导体为四棱柱状。

10.根据权利要求8或9所述的固体摄像装置，其中，上述信号线是n+型扩散层，上述第1半导体层是n+型扩散层，上述第2半导体层是p型杂质添加区域，上述第3半导体层是n型扩散层，上述第4半导体层是p+型扩散层。