[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：

该半导体装置的制造方法包括工序a和工序b，工序a是在衬底上形 成具有上表面及侧面的第一半导体区域，工序b是在所述第一半导体区域 根据等离子体掺杂法注入第一导电型杂质、由此在所述第一半导体区域上 部形成第一杂质区域并且在所述第一半导体区域侧部形成第二杂质区域；

在所述工序b，将等离子体掺杂时的压力设定在0.6Pa以下，

在所述工序b，所述第二杂质区域的注入剂量为所述第一杂质区域的 注入剂量的80％以上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述工序a和所述工序b之间还具备形成栅极绝缘膜使该栅极绝缘 膜至少覆盖所述第一半导体区域的规定部分中的侧面及上部角的工序；

在所述工序b之后，在位于所述栅极绝缘膜外侧部分的所述第一半导 体区域的上部角的曲率半径r′大于位于所述栅极绝缘膜下侧部分的所述第 一半导体区域的上部角的曲率半径r，并且曲率半径r′为2r以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述工序b，将等离子体掺杂时的电离电流密度设定为0.5mA/cm²以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述工序b之后，使所述第二杂质区域的薄膜电阻为所述第一杂质 区域的薄膜电阻的1.25倍以下。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述工序a之前还具备在所述衬底上形成绝缘层的工序，

在所述工序a，在所述绝缘层上形成所述第一半导体区域。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述第一半导体区域的侧面是与所述第一半导体区域的上表面为垂直 的面。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序b使用由含所述杂质的气体构成的等离子体来进行，

含所述杂质的气体包含由硼原子和氢原子构成的分子BmHn，m、n为 自然数。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序b使用由含所述杂质的气体构成的等离子体进行，

含所述杂质的气体是以稀有气体稀释含硼原子的分子构成的气体。

9.根据权利要采1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序b使用由含所述杂质的气体构成的等离子体进行，

含所述杂质的气体是用氦稀释含所述杂质的分子构成的气体。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序b使用由含所述杂质的气体构成的等离子体进行，

含所述杂质的气体是B₂H₆和He的混合气体。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述混合气体的B₂H₆的质量浓度在0.01％以上且在1％以下。

12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序b使用由含所述杂质的气体构成的等离子体来进行，

含所述杂质的气体包含BF₃。

13.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序b使用由含所述杂质的气体构成的等离子体进行，

含所述杂质的气体包含AsH₃或PH₃。