[发明专利]蚀刻液组合物在审
| 申请号： | 200880000680.X | 申请日： | 2008-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101542692A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 田湖次广;松田知丈;木村直弓;青山哲男 | 申请（专利权）人： | 林纯药工业株式会社;三洋电机株式会社;三洋半导体制造株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蒋 亭;苗 堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 | ||
【权利要求书】：
1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，是用于蚀刻基板上的金属膜的蚀刻液组合物，由磷酸、硝酸、有机酸盐和水构成，所述磷酸的浓度为30～80重量％，所述硝酸的浓度为1～40重量％。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸盐为从选自脂肪族单羧酸、脂肪族多羧酸、脂肪族氧代羧酸、芳香族单羧酸、芳香族多羧酸、芳香族氧代羧酸中的至少1种的、铵盐、胺盐、季铵盐、碱金属盐中选出的至少1种。
3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸盐的浓度为0.1～20重量％。
4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述金属膜为铝或铝合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
