[发明专利]光学薄膜、及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200880000790.6 申请日: 2008-08-22
公开(公告)号: CN101548208A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 平山智之;饭田敏行;大森裕;黑木美由纪;清水永惠 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G02F1/13363
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光学薄膜 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光学薄膜,其中,

含有:具有由下述通式(I)表示的重复单元的酯系聚合物,

A及B分别表示取代基,a及b表示对应的A及B的取代数且为0~4的整数,

A及B分别独立表示氢、卤素、碳原子数1~6的烷基或者取代或未取代的芳基,

D表示选自由共价键、CH2基、C(CH3)2基、C(CZ3)2基、CO基、O原子、S原子、SO2基、Si(CH2CH3)2基以及N(CH3)基构成的组的至少一种原子或基团,其中,Z为卤素,

R1及R2表示碳原子数1~10的直链或支链的烷基、取代或未取代的芳基,

R3~R6分别独立表示氢原子、卤素原子、碳原子数1~6的直链或支链的烷基、碳原子数5~10的环烷基或者取代或未取代的芳基,其中,R3~R6中至少一个不是氢原子,

p1表示0~3的整数,p2表示1~3的整数,

n表示2以上的整数。

2.根据权利要求1所述的光学薄膜,其中,

所述通式(I)中的R1为甲基,且R2为碳原子数2~4的直链或支链的烷基。

3.根据权利要求1所述的光学薄膜,其中,

在所述通式(I)中,R3及R5为碳原子数1~4的直链或支链的烷基,且R4及R6为氢原子或碳原子数1~4的直链或支链的烷基。

4.根据权利要求1所述的光学薄膜,其中,

所述酯系聚合物为在化学结构中不具有卤素原子的非卤化酯系聚合物。

5.根据权利要求1所述的光学薄膜,其中,

所述酯系聚合物可溶于甲苯或醋酸乙酯。

6.根据权利要求1所述的光学薄膜,其中,

波长在400nm下的透过率为90%以上。

7.根据权利要求1所述的光学薄膜,其中,

厚度为20μm以下。

8.根据权利要求1所述的光学薄膜,其中,

薄膜厚度方向的折射率(nz)比薄膜面内的折射率的最大值(nx)小。

9.一种光学层叠体,其中,

其是权利要求1~8中任一项所述的光学薄膜和聚合物基材密接层叠而成的。

10.一种偏振板,其中,

包含:权利要求1~8中任一项所述的光学薄膜和偏振片。

11.一种图像显示装置,其中,

包含:权利要求1~8中任一项所述的光学薄膜。

12.一种光学薄膜的制造方法,其是权利要求1~8中任一项所述的光学薄膜的制造方法,其中,包括:

配制含有由所述通式(I)表示的酯系聚合物和溶剂的溶液的工序;及

将该溶液涂敷于聚合物基材的表面后进行干燥,从而形成密接层叠于该聚合物基材上的薄膜的工序。

13.一种光学层叠体的制造方法,其是权利要求9所述的光学层叠体的制造方法,其中,包括:

配制含有由所述通式(I)表示的酯系聚合物和溶剂的溶液的工序;及

将该溶液涂敷于基材的表面后进行干燥,从而形成密接层叠于该基材上的薄膜的工序;及

将该光学薄膜转印于其他聚合物基材的工序。

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