[发明专利]半导体激光装置

权利要求书

1.一种半导体激光装置，具有包含活性层且选择性地形成有台阶区域的叠层结构体，该叠层结构体的各层分别由III族氮化物半导体形成，其特征在于：

所述叠层结构体，具有在与该叠层结构体的主面平行的面内延伸的条状波导路，

所述波导路的彼此相向的端面的至少之一是光射出端面，

在所述台阶区域的周围形成有第一区域和第二区域，该第一区域是所述活性层中禁带宽度为Eg1的区域，该第二区域是所述活性层中禁带宽度为Eg2的区域，且与该第一区域邻接，而且Eg2≠Eg1，

所述波导路形成为：包含所述第一区域及第二区域，并且不包含所述台阶区域，

所述光射出端面，形成在所述第一区域及第二区域中光吸收波长较短的那个区域。

2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

进一步包括所述叠层结构体进行结晶生长的基板，

所述台阶区域由在所述基板的主面形成的凹部或突起部形成。

3.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述基板，由主面的面方位为c面的属于六方晶系的III族氮化物半导体形成，

所述波导路，在与c面平行的面内沿着m面的法向矢量而形成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一区域的禁带宽度Eg1大于所述第二区域的禁带宽度Eg2。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一区域相对于所述叠层结构体的主面上的结晶面的倾斜角度，与所述第二区域相对于所述结晶面的倾斜角度不同。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：

在所述叠层结构体的主面上的所述第一区域的高度与所述第二区域的高度不同。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：

在所述活性层的组成中含有铟。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述台阶区域，相对于所述波导路而言仅形成在一侧的侧方区域中。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述波导路形成在与所述台阶区域的边缘相距2μm以上且10μm以下的区域中。

10.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述台阶区域，相对于所述波导路而言形成在与所述凹部或所述突起部相同的一侧。