[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法；包括：

制备为了使n型杂质区和p型杂质区互相邻接而设置的碳化硅半导体层的 工序(a)；

在前述p型杂质区上，形成包含镍层和铝层的叠层膜的工序(b)；

通过对前述叠层膜进行热处理，在前述p型杂质区上形成含有镍、铝、硅 和碳的合金的p型欧姆电极的工序(c)；

至少在前述n型杂质区的一部分上形成钛层的工序(d)；和

通过对前述钛层进行热处理，在前述n型杂质区上形成包含钛、硅和碳的 合金的n型欧姆电极的工序(e)，

前述工序(c)和(e)中的热处理是在850℃以上1050℃以下的温度下进 行的，

前述工序(c)和(e)中的热处理是在含有氮气或氩气的气氛中进行的，

前述工序(b)包括：

在前述碳化硅半导体层上形成露出前述p型杂质区的掩模的工序(b1)；和

在前述p型杂质区和前述掩模上形成前述叠层膜的工序(b2)，

在前述工序(b2)和前述工序(d)之间，包括去除前述掩模上的前述叠层 膜的工序(f)。

2.根据权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，前述工序 (d)包括：

在前述碳化硅半导体层上形成具有接触孔的绝缘膜的工序(d1)，其中该接 触孔露出前述n型杂质区的一部分和前述p型欧姆电极；

在前述接触孔内的n型杂质区的一部分和前述p型欧姆电极上以及前述绝 缘膜上形成前述钛层的工序(d2)；和

在前述工序(d2)以后，去除前述绝缘膜上的前述钛层的至少一部分的工 序(g)。

3.根据权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，在前述工 序(f)中，通过湿法蚀刻去除前述叠层膜。

4.根据权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，在前述工 序(f)中，通过干法蚀刻去除前述叠层膜。

5.根据权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，前述工序 (f)通过去除前述掩模，去除前述掩模上的前述叠层膜。

6.根据权利要求2记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，在前述工 序(g)中，通过湿法蚀刻去除前述钛层。

7.根据权利要求2记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，在前述工 序(g)中，通过干法蚀刻去除前述钛层。

8.根据权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，前述掩模 与在前述工序(a)中通过注入杂质离子而在前述碳化硅半导体层中形成前述p 型杂质区的另一掩模具有相同的图案。

9.根据权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，前述工序 (e)包括：

通过对前述钛层进行热处理，使前述n型杂质区中的硅和碳与前述钛层的 一部分进行反应，形成钛、硅和碳的合金的工序(e1)；和

通过去除前述钛层中未进行反应的部分，在前述n型杂质区上形成含有前 述合金的n型欧姆电极的工序(e2)。

10.根据权利要求9记载的半导体装置的制造方法，其特征在于， 在前述工序(e2)中，通过湿法蚀刻去除前述钛层中与硅和碳未进行反 应的部分。