[发明专利]挠性半导体装置的制造方法及挠性半导体装置

权利要求书

1.一种挠性半导体装置的制造方法，该挠性半导体装置包括薄膜晶体管，其特征在于：

该挠性半导体装置的制造方法，包括：

工序a，准备由三层覆箔形成的叠层膜，该三层覆箔是第一金属层、第二金属层以及夹在该第一金属层和第二金属层之间的无机绝缘膜叠层而成的，

工序b，蚀刻所述第二金属层的一部分，来形成栅电极，

工序c，蚀刻所述第一金属层的一部分，在与所述栅电极对应的部位形成源、漏电极，以及

工序d，以与所述源、漏电极接触的方式，隔着所述无机绝缘膜在所述栅电极上形成半导体层；

所述栅电极上的所述无机绝缘膜作为栅极绝缘膜发挥作用，所述无机绝缘膜上的位于所述源、漏电极间的所述半导体层作为沟道发挥作用。

2.根据权利要求1所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述工序b之后，包括：将所述栅电极压接在树脂膜的上表面，以使该栅电极埋入到该树脂膜中的工序。

3.根据权利要求2所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

该挠性半导体装置的制造方法进一步包括：在所述树脂膜的下表面形成第三金属层的工序。

4.根据权利要求3所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述树脂膜具有从该树脂膜的上表面贯通到下表面的开口部，

在所述开口部，形成有填充导电性膏而构成的多个膏填充型导通孔，

在将所述栅电极埋入所述树脂膜的工序中，对所述栅电极及源、漏电

极进行压接，使该栅电极及源、漏电极与所述膏填充型导通孔的上表面接触。

5.根据权利要求3所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

该挠性半导体装置的制造方法包括：在形成所述第三金属层后，在所述树脂膜中形成使所述栅电极及源、漏电极与所述第三金属层电气连接的镀层型导通孔的工序。

6.根据权利要求3所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述第三金属层的形成工序中，与所述第三金属层一起，形成使该第三金属层与所述栅电极及源、漏电极电气连接的镀层型导通孔。

7.根据权利要求4～6中任一项所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

该挠性半导体装置的制造方法包括：蚀刻所述第三金属层的一部分，来形成经由所述导通孔与所述栅电极电气连接的栅极布线的工序。

8.根据权利要求7所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

在形成所述栅极布线的工序中，蚀刻所述第三金属层的一部分，与所述栅极布线一起形成与所述源、漏电极电气连接的布线层。

9.根据权利要求1所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序a中的第一金属层和第二金属层由铜箔、镍箔或者以铜和镍中的一种为成分的合金箔构成。

10.根据权利要求1所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序b进一步包含蚀刻所述无机绝缘膜的工序。

11.根据权利要求1所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述工序c中，通过蚀刻所述第一金属层的一部分，既形成所述源、漏电极，又形成与该源、漏电极电气连接的布线层。

12.根据权利要求1所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述无机绝缘膜由从钛氧化物、钽氧化物、铝氧化物及铌氧化物构成的组中选出的材料形成。

13.根据权利要求1所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述无机绝缘膜是相对介电常数在8以上且厚度在2μm以下的膜。

14.根据权利要求1所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序a，包含：

准备所述第二金属层的工序，

在所述第二金属层上形成无机绝缘膜的工序，以及

在所述无机绝缘膜上形成第一金属层的工序。

15.根据权利要求14所述的挠性半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述无机绝缘膜由将所述第二金属层的上表面氧化而形成的金属氧化膜构成。