[发明专利]硅化物形成方法及系统

权利要求书

1.一种在由掺有B或P或As的杂质的IV族半导体材料制成的基板表面上形成金属硅化物层的方法，该方法包括：

在等离子体生成室内将含有HF的等离子体生成气体转变为等离子体，有选择地将所述等离子体中的自由基从所述等离子体生成室导入到清洁室中，并且将含有气体比为0.6以上的未激发的HF的处理气体导入到所述清洁室中，从而在所述自由基和所述处理气体的混合气氛中清洁所述基板；

在不使清洁过的所述基板暴露于大气的情况下将清洁过的所述基板从所述清洁室输送到溅射室，并且在所述溅射室内在清洁过的基板表面上生长由金属材料制成的金属溅射层；以及

在不使具有所述金属溅射层的所述基板暴露于大气的情况下将所述基板从所述溅射室输送到退火室，并且在所述退火室内通过对所述基板表面的所述金属溅射层进行加热而将所述金属溅射层改变为硅化物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，清洁后的所述基板表面的粗糙度为0.5nm以下。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属溅射层为均含有Ti、Pt、Pd、Ni、Co、Ta、Mo和W的贵金属、半贵金属或高熔点金属，特别地，所述金属溅射层为从Ni、Co、Pt或这些组中选出的金属或其合金。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述等离子体气体转变为等离子体时，通过对所述等离子体气体施加高频电力而将所述等离子体气体转变为等离子体，该高频电力密度为0.001-0.25W/cm²，优选为0.001-0.125W/cm²，更优选为0.001-0.025W/cm²。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，由闸门阀经由被连接到所述清洁室、所述溅射室和所述退火室的真空输送室来进行所述基板从所述清洁室到所述溅射室的输送以及从所述溅射室到所述退火室的输送。

6.一种硅化物膜形成设备，该硅化物膜形成设备包括用于存储程序的计算机存储介质，所述程序发送允许计算机控制硅化物膜的形成的指令，其中，用于执行所述硅化物膜的形成步骤的程序由执行以下步骤(a)至(c)的程序构成：

(1)清洁由掺有B或P或As的杂质的IV族半导体材料制成的基板表面的步骤，

其中，如下进行所述基板表面的清洁：在等离子体生成室内将含有HF的等离子体生成气体转变为等离子体，有选择地将所述等离子体中的自由基从所述等离子体生成室导入到清洁室中，同时，将含有气体比为0.6以上的未激发的HF的处理气体导入到所述清洁室中，从而在所述自由基和所述处理气体的混合气氛中清洁所述基板表面；

(2)在不使清洁过的所述基板暴露于大气的情况下将清洁过的所述基板从所述清洁室输送到溅射室，并且在所述溅射室内在清洁过的基板表面上生长由金属材料制成的金属溅射层的步骤；以及

(3)在不使具有所述金属溅射层的所述基板暴露于大气的情况下将所述基板从所述溅射室输送到退火室，并且在所述退火室内通过对所述基板表面的所述金属溅射层进行加热而将所述金属溅射层改变为硅化物的步骤。