[发明专利]通过无电镀形成金属薄膜的镀敷物及其制造方法

权利要求书

1.一种镀敷物，是在基材上形成了具有无电镀的催化活性的金属(A)与能够与无电镀液中含有的金属离子置换镀敷的金属(B)的合金薄膜，并在该合金薄膜上通过无电解置换和还原镀而形成了金属薄膜的镀敷物，其特征在于，

该具有催化活性的金属(A)与该能够置换镀敷的金属(B)的合金薄膜，其组成为具有催化活性的金属(A)为5原子％～40原子％；

该通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜，是厚度为10nm以下、电阻率为10μΩ·cm以下的金属薄膜，

具有催化活性的金属(A)是选自铑、钌、铱中的至少一种金属；

能够置换镀敷的金属(B)是选自铁、镍、钴、钨、铌、锡、镁、铝、锌、铅中的至少一种金属；

在合金薄膜上通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜是包含选自金、银、铜、镍、钴、铁、锡中的至少一种金属的薄膜。

2.根据权利要求1所述的镀敷物，其特征在于，通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜的厚度为10nm以下、电阻率为5μΩ·cm以下。

3.根据权利要求1所述的镀敷物，其特征在于，还在所述金属薄膜上通过镀敷而形成了配线部。

4.根据权利要求2所述的镀敷物，其特征在于，还在所述金属薄膜上通过镀敷而形成了配线部。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的镀敷物，其特征在于，合金薄膜与通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜的界面的氧浓度，采用俄歇电子光谱法进行分析为1原子％以下。

6.根据权利要求3或4所述的镀敷物，其特征在于，合金薄膜与通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜的界面的氧浓度，采用俄歇电子光谱法进行分析为1原子％以下，配线部是铜或以铜为主成分的合金。

7.根据权利要求1～4的任一项所述的镀敷物，其特征在于，能够置换镀敷的金属(B)，对通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜的金属具有防止扩散的阻挡功能。

8.根据权利要求3或4所述的镀敷物，其特征在于，

具有催化活性的金属(A)是选自铑、钌中的至少一种金属；

能够置换镀敷的金属(B)是选自钨、铌中的至少一种金属；

在合金薄膜上通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜是铜薄膜或以铜为主成分的合金薄膜；

配线部是铜或以铜为主成分的合金。

9.根据权利要求1或2所述的镀敷物，其特征在于，

具有催化活性的金属(A)是选自铑、钌中的至少一种金属；

能够置换镀敷的金属(B)是选自钨、铌中的至少一种金属；

在合金薄膜上通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜是铜薄膜或以铜为主成分的合金薄膜。

10.根据权利要求3或4所述的镀敷物，其特征在于，

具有催化活性的金属(A)是钌；

能够置换镀敷的金属(B)是钨；

在合金薄膜上通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜是铜薄膜；

配线部是铜。

11.根据权利要求1或2所述的镀敷物，其特征在于，

具有催化活性的金属(A)是钌；

能够置换镀敷的金属(B)是钨；

在合金薄膜上通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜是铜薄膜。

12.根据权利要求1～4的任一项所述的镀敷物，其特征在于，通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜是大马士革铜配线用籽晶层。

13.根据权利要求1～4的任一项所述的镀敷物，其特征在于，合金薄膜是通过溅射而形成的。

14.一种半导体元件，其特征在于，在构成中包含权利要求1～4的任一项所述的镀敷物。