[发明专利]具有凹洞板互联的半导体封装有效

专利信息
申请号: 200880001385.6 申请日: 2008-04-30
公开(公告)号: CN101720504A 公开(公告)日: 2010-06-02
发明(设计)人: 孙明;石磊;刘凯 申请(专利权)人: 万国半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 张静洁;王敏杰
地址: 百慕大*** 国省代码: 百慕大群岛;BM
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摘要:
搜索关键词: 具有 凹洞 板互联 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,其特征在于,包含:

一引线框架,所述的引线框架具有漏极引脚、源极引脚和栅极引脚;

一半导体芯片,所述的半导体芯片耦合到该引线框架上,该半导体芯 片具有若干金属化源极区域和一金属化栅极区域;

一图案化源极板,所述的图案化源极板上形成有若干源极凹洞,用以 将源极引脚耦合至半导体芯片的金属化源极区域,该些源极凹洞设置在用 以和金属化源极区域连接的位置;

一图案化栅极板,所述的图案化栅极板上形成有若干栅极凹洞,用以 将栅极引脚耦合到半导体芯片的金属化栅极区域,该些栅极凹洞设置在用 以和金属化栅极区域连接的位置;

一半导体芯片漏极区域,所述的半导体芯片漏极区域耦合至漏极引 脚;以及

一封装材料,所述的封装材料至少覆盖半导体芯片和该漏极引脚、源 极引脚和栅极引脚的一部分。

2.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述的金属化源极区域和 金属化栅极区域包含有若干被钝化区域隔离的圆形金属化区域。

3.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述的若干源极凹洞和栅 极凹洞各包含有一穿孔,通过该穿孔使得图案化源极板和图案化栅极板分 别焊接到金属化源极区域与金属化栅极区域。

4.如权利要求3所述的半导体封装,其特征在于,焊接时使用的焊锡在该图 案化源极板与该图案化栅极板的顶部区域形成一锁路。

5.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述的金属化源极区域和 金属化栅极区域包含一上镍金层。

6.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述的漏极区域包含有一 金属化漏极区域。

7.如权利要求6所述的半导体封装,其特征在于,所述的金属化漏极区域包 含一上镍金层。

8.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述的漏极引脚的底部部 分是通过封装材料暴露在外的。

9.一种半导体封装,其特征在于,包含:

一引线框架,所述的引线框架具有漏极引脚、源极引脚和栅极引脚;

一半导体芯片,所述的半导体芯片耦合到该引线框架上,该半导体芯 片具有若干镍金金属化源极区域和一个镍金金属化栅极区域;

一图案化源极板,所述的图案化源极板上形成有若干个源极凹洞,所 述的源极凹洞设置的位置可相应的使源极引脚耦合到半导体芯片的金属 化源极区域,且所述的图案化源极板被焊接到金属化源极区域;

一半导体芯片漏极区域,耦合到该漏极引脚;以及

一封装材料,至少覆盖该半导体芯片、该漏极引脚、源极引脚与栅极 引脚的一部分。

10.如权利要求9所述的半导体封装,其特征在于,还包含一图案化栅极板, 所述的图案化栅极板上形成有栅极凹洞,该栅极凹洞设置的位置可相应的 使栅极引脚耦合到半导体芯片的金属化栅极区域。

11.如权利要求9所述的半导体封装,其特征在于,所述的若干源极凹洞与栅 极凹洞各包含有穿孔,通过穿孔使该图案化源极板和图案化栅极板分别焊 接到金属化源极区域与金属化栅极区域上。

12.如权利要求11所述的半导体封装,其特征在于,焊接时使用的焊锡在图 案化源极板与图案化栅极板的一顶部区域上形成锁路。

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