[发明专利]光电池用二硅化铁的提纯方法与材料无效
申请号: | 200880001622.9 | 申请日: | 2008-09-18 |
公开(公告)号: | CN101578693A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 弗雷德里·维克·梅库莱克;高宾生;霍华德·W·H·李 | 申请(专利权)人: | STION太阳能电池有限公司 |
主分类号: | H01L21/44 | 分类号: | H01L21/44 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蔡胜有;吴亦华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电池 用二硅化铁 提纯 方法 材料 | ||
1.一种光电池装置用二硅化铁的制作方法,所述方法包括:
提供至少包括一α相实体、一β相实体与一ε相实体的二硅化铁第一 样品,所述α相实体的范围为全相实体的5%到20%,所述β相实体的范 围为全相实体的30%到75%,以及所述ε相实体的范围为全相实体的5% 到20%;
在惰性环境中保持二硅化铁第一样品;
保持在惰性环境中对所述二硅化铁第一样品进行加热,以形成二硅化 铁第二样品,所述二硅化铁第二样品包括β相二硅化铁并具有范围为15 目到25目的第一粒径特征;
在所述二硅化铁第二样品中加入有机溶剂,以形成含有二硅化铁第二 样品与有机溶剂的材料的第一混合物;
对含二硅化铁第二样品的材料的第一混合物进行研磨加工,将具有第 一粒径的二硅化铁第二样品转换为具有第二粒径的二硅化铁第三样品,所 述第二粒径范围为1微米到2微米;
从二硅化铁第三样品中除去有机溶剂;
得到具有第二粒径特征且β相实体大于90%的二硅化铁第三样品。
2.权利要求1所述的方法,其中所述惰性环境由氮、氩、氦形成。
3.权利要求1所述的方法,其中所述加热过程是在800摄氏度到850摄 氏度下进行16小时到17小时。
4.权利要求1所述的方法,其中所述加热过程是在700摄氏度到800摄 氏度下进行16小时到18小时。
5.权利要求1所述的方法,其中所述有机溶剂选自异丙醇(IPA)及辛烷 有机溶剂。
6.权利要求1所述的方法,其中所述二硅化铁第三样品包括大于95%的 β相二硅化铁。
7.权利要求1所述的方法,其中所述研磨加工为球磨加工。
8.权利要求7所述的方法,其中所述的球磨加工包括:
采用直径范围为2.5毫米到3.5毫米的多个陶瓷球;
将材料混合物与多个陶瓷球混合放入研磨容器内;并
采用旋转式行星球磨机研磨所述材料混合物。
9.权利要求1所述的方法,其中所述二硅化铁第三样品具有范围为0.8eV 到0.9eV的带隙特征。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造