[发明专利]形成贯穿衬底的互连的方法

权利要求书

1.一种形成至少一个贯穿衬底的互连(110、111、112、126)的方法，该方法包括：

提供具有第一表面(202)和相对的第二表面(204)的半导体衬底(200)；

在所述半导体衬底中形成至少一个开口(210)，所述至少一个开口从所述第一表面延伸到所述半导体衬底内的中间深度，所述至少一个开口由底部(216)部分地限定；

在所述底部上提供至少一个金属催化剂纳米颗粒(220)；

在所述金属催化剂纳米颗粒促进导电材料(222)的沉积的条件下，在所述至少一个开口内沉积导电材料；

从所述第二表面去除所述半导体衬底的材料，以露出填充所述至少一个开口的所述导电材料(图3K中的222)的一部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中在所述底部上提供至少一个金属催化剂纳米颗粒包括：在所述底部(216)上形成所述至少一个金属催化剂纳米颗粒(220)。

3.如权利要求1所述的方法，其中在所述底部(216)上提供至少一个金属催化剂纳米颗粒(220)包括：在所述底部上沉积所述至少一个金属催化剂纳米颗粒。

4.如权利要求1所述的方法：

其中在所述金属催化剂纳米颗粒促进所述导电材料的沉积的条件下在所述至少一个开口内沉积导电材料包括：用所述导电材料填充所述至少一个开口，直到所述至少一个金属催化剂纳米颗粒(220)的至少一部分被移置到高于所述至少一个开口的入口为止(图3G)；并且

进一步包括：去除所述至少一个金属催化剂纳米颗粒以及所述导电材料的一部分，使得所述导电材料不延伸超过所述至少一个开口的入口(图3H)。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个开口的至少一个侧壁(214)包括绝缘层，并且所述底部(216)大致没有绝缘层(图3D)。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个开口的所述底部(216)和所述至少一个侧壁(214)各自包括绝缘层(图3C)。

7.一种形成至少一个贯穿衬底的互连(110、111、112、126)的方法，该方法包括：

提供具有第一表面(202)和相对的第二表面(204)的半导体衬底(200)；

在所述半导体衬底中形成至少一个开口(210)，所述至少一个开口从所述第一表面延伸到所述半导体衬底内的中间深度，所述至少一个开口由包括第一材料的至少一个侧壁(214)和包括第二材料的底部(216)限定(图4A)；

用导电材料(250)填充所述至少一个开口，所述导电材料(250)具有优先在所述第二材料上集结的选择性；以及

从所述第二表面去除所述半导体衬底的材料，以露出填充所述至少一个开口的所述导电材料的一部分(图4G)。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一材料包括绝缘层，并且所述第二材料包括所述半导体材料的暴露的表面(图4A)。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述第一材料包括绝缘层，并且所述第二材料包括金属硅化物。

10.如权利要求7所述的方法：

其中用具有优先在所述底部的所述第二材料上集结的选择性的导电材料(250)来填充所述至少一个开口(210)包括：用所述导电材料填充所述至少一个开口，直到所述导电材料延伸超出所述至少一个开口的入口为止(图4C)；并且

进一步包括：去除所述导电材料的一部分，使得所述导电材料不延伸超过所述至少一个开口的所述入口(图4D)。