[发明专利]复合磁性体及其制造方法、使用复合磁性体的电路板以及使用复合磁性体的电子设备无效
申请号: | 200880002769.X | 申请日: | 2008-01-22 |
公开(公告)号: | CN101589443A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 大见忠弘;寺本章伸;石塚雅之;日高宣浩;白方恭 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人东北大学;住友大阪水泥股份有限公司;株式会社友华 |
主分类号: | H01F1/26 | 分类号: | H01F1/26;H01F1/147;H01F1/24;H01F1/37;H01F41/02;H05K1/02;H05K1/03;H05K9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 磁性 及其 制造 方法 使用 电路板 以及 电子设备 | ||
1、一种复合磁性体,
其是将磁性粉末分散在绝缘性材料中而构成的复合磁性体,其特征在于,
所述磁性粉末为球状或扁平状,
所述复合磁性体具有下述(a)~(c)中的任意一种特性:
(a)在1GHz或500MHz的频率下,相对磁导率μr大于1,且介质损耗角正切tanδ为0.1以下;
(b)在1.2GHz以下的频率下的复磁导率的实部μr’大于10,且介质损耗角正切tanδ为0.3以下;以及
(c)在4GHz以下的频率下复磁导率的实部μr’大于1,且在1GHz以下的频率下介质损耗角正切tanδ为0.1以下。
2、如权利要求1所述的复合磁性体,其特征在于,
所述复合磁性体在1GHz以下的频率下的复介电常数的实部εr’为10以上。
3、如权利要求1所述的复合磁性体,其特征在于,
所述复合磁性体在1GHz以下的频率下的复介电常数的实部εr’为10以下。
4、如权利要求1所述的复合磁性体,其特征在于,
所述绝缘性材料中含有10~95vol%的所述磁性粉末。
5、如权利要求1所述的复合磁性体,其特征在于,
所述磁性粉末在受机械应力时容易相对于易磁化轴方向发生塑性变形。
6、如权利要求1所述的复合磁性体,其特征在于,
所述磁性粉末的粒径为0.01~10μm。
7、如权利要求1~6中任一项所述的复合磁性体,其特征在于,
所述磁性粉末的形状为扁平状,其厚度为0.01~1μm,长度为0.02~10μm,且长度/厚度的尺寸比为2以上。
8、如权利要求7所述的复合磁性体,其特征在于,
所述扁平状磁性粉末是在将磁性粉末混合于分散溶剂的工序中,使球状磁性粉末机械地变形为扁平状而得到的。
9、如权利要求7所述的复合磁性体,其特征在于,
所述扁平状磁性粉末在所述绝缘性材料中取向于一定方向。
10、如权利要求7所述的复合磁性体,其特征在于,
构成所述扁平状磁性粉末的结晶的特定结晶面取向于所述扁平状磁性粉末的一定方向。
11、如权利要求7所述的复合磁性体,其特征在于,
所述扁平状磁性粉末的长轴方向与易磁化轴一致。
12、如权利要求1所述的复合磁性体,其特征在于,
所述磁性粉末的材质是镍(Ni)或透磁合金(Fe-Ni合金),或者是添加有铝(Al)、铬(Cr)、锰(Mn)、钴(Co)、铜(Cu)、锌(Zn)、铌(Nb)、钼(Mo)、铟(In)、锡(Sn)中的任意一种以上的金属元素的透磁合金(Fe-Ni合金)。
13、如权利要求12所述的复合磁性体,其特征在于,
添加在所述磁性粉末中的金属元素的浓度为0.1重量%~90重量%。
14、如权利要求1所述的复合磁性体,其特征在于,
所述磁性粉末为铁系金属磁性粉末或金属氧化物磁性粉末。
15、如权利要求14所述的复合磁性体,其特征在于,
所述铁系金属磁性粉末的材质为选自由铁((Fe))、铁(Fe)-硅(Si)系合金、铁(Fe)-氮(N)系合金、铁(Fe)-碳(C)系合金、铁(Fe)-硼(B)系合金、铁(Fe)-磷(P)系合金、铁(Fe)-铝(Al)系合金、铁(Fe)-铝(Al)-硅(Si)系合金构成的组中的至少一种。
16、如权利要求15所述的复合磁性体,其特征在于,
所述铁系金属磁性粉末的材质为添加有选自钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、钴(Co)、铜(Cu)、锌(Zn)、铌(Nb)、钼(Mo)、铟(In)、锡(Sn)中的任意一种以上的金属元素的所述铁系金属磁性粉末。
17、如权利要求16所述的复合磁性体,其特征在于,
添加在所述磁性粉末中的金属元素的浓度为0.1重量%~90重量%。
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