[发明专利]用于改善的机械和热机械性能的焊料凸点互连

权利要求书

1.一种包含输入-输出(IO)上凸点结构的半导体封装，包括：

器件焊盘；

凸点下金属焊盘(UBM)；

具有开口的聚合物层；以及

具有开口的钝化层，

其中，从所述器件焊盘的中央到所述器件焊盘的外边缘的 最短距离与从所述UBM的中央到所述UBM的外边缘的最短 距离的比值范围在0.5∶1到0.95∶1，

从所述聚合物层中的开口的中央到所述聚合物层中的开 口的外边缘的最短距离与从所述UBM的中央到所述UBM的 外边缘的最短距离的比值范围在0.35∶1到0.85∶1，并且

从所述钝化层中的开口的中央到所述钝化层中的开口的 外边缘的最短距离与从所述UBM的中央到所述UBM的外边 缘的最短距离的比值范围在0.35∶1到0.80∶1。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，与热应力和机械应 力相关联的力在所述IO上凸点结构上均匀地分布。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述器件焊盘、所 述UBM、所述聚合物层、及所述钝化层采用圆形几何结构。

4.根据权利要求1所述半导体封装，其中，所述器件焊盘、所述 UBM、所述聚合物层、及所述钝化层采用方形几何结构。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述聚合物层是聚 酰亚胺。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述聚合物层是苯 环丁烯(BCB)。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述聚合物层是聚 苯并恶唑。

8.一种包含再分布层(RDL)下层结构的半导体封装，包括：

连接焊盘；

凸点下金属焊盘(UBM)；以及

具有开口的聚合物层，

其中，从所述连接焊盘的中央到所述连接焊盘的外边缘的 最短距离与从所述UBM的中央到所述UBM的外边缘的最短 距离的比值范围在0.5∶1到0.95∶1，并且

从所述聚合物层中的开口的中央到所述聚合物层中的开 口的外边缘的最短距离与从所述UBM的中央到所述UBM的 外边缘的最短距离的比值范围在0.35∶1到0.85∶1。

9.根据权利要求8所述半导体封装，其中，与热应力和机械应力 相关联的力在所述RDL下层结构上均匀地分布。

10.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述连接焊盘、所 述UBM、及所述聚合物层采用圆形几何结构。

11.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述连接焊盘、所 述UBM、及所述聚合物层采用方形几何结构。

12.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述聚合物层是聚 酰亚胺。

13.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述聚合物层是苯 环丁烯(BCB)。

14.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述聚合物层是聚 苯并恶唑。