[发明专利]染料增感型光电转换器件及其制造方法、电子设备以及半导体电极及其制造方法

权利要求书

1.一种染料增感型光电转换器件，包括半导体电极，对向电极，包括 两种染料的增感染料以及处于吸附有增感染料的所述半导体电极与所述对 向电极之间的电解质层，其特征在于：所述两种染料被吸附在所述半导体 电极的表面上晶面指数彼此不同的结晶面处。

2.如权利要求1所述的染料增感型光电转换器件，其特征在于：所述 半导体电极包括半导体微粒。

3.如权利要求2所述的染料增感型光电转换器件，其特征在于：所述 半导体微粒包括氧化钛。

4.如权利要求3所述的染料增感型光电转换器件，其特征在于：所述 两种染料包括三(异硫氰酸酯)(2，2’：6’，2”-三联吡啶基-4，4’，4”-三羧酸)钌 (II)三四丁基铵配合物和2-氰基-3-[4-[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]- 1，2，3，3a，4，8b-六氢环戊[b]吲哚-7-基]-2-丙烯酸。

5.如权利要求3所述的染料增感型光电转换器件，其特征在于：所述 两种染料包括三(异硫氰酸酯)(2，2’：6’，2”-三联吡啶基-4，4’，4”-三羧酸)钌 (II)三四丁基铵配合物和顺式-双(异硫氰酸酯)双(2，2’-联吡啶基-4，4’-二羧 酸)钌(II)二四丁基铵配合物。

6.一种制造在吸附有增感染料的半导体电极与对向电极之间具有电解 质层的染料增感型光电转换器件的方法，其特征在于：通过将所述半导体 电极浸渍在包含作为所述染料的两种染料的染料溶液中，使所述两种染料 吸附到所述半导体电极的表面上晶面指数彼此不同的结晶面处。

7.如权利要求6所述的制造染料增感型光电转换器件的方法，其特征 在于：所述半导体电极包括半导体微粒。

8.如权利要求7所述的制造染料增感型光电转换器件的方法，其特征 在于：所述半导体微粒包括氧化钛。

9.如权利要求8所述的制造染料增感型光电转换器件的方法，其特征 在于：所述两种染料包括三(异硫氰酸酯)(2，2’：6’，2”-三联吡啶基-4，4’，4”-三 羧酸)钌(II)三四丁基铵配合物和2-氰基-3-[4-[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯 基]-1，2，3，3a，4，8b-六氢环戊[b]吲哚-7-基]-2-丙烯酸。

10.如权利要求8所述的制造染料增感型光电转换器件的方法，其特 征在于：所述两种染料包括三(异硫氰酸酯)(2，2’：6’，2”-三联吡啶基-4，4’，4”- 三羧酸)钌(II)三四丁基铵配合物和顺式-双(异硫氰酸酯)双(2，2’-联吡啶 基-4，4’-二羧酸)钌(II)二四丁基铵配合物。

11.一种使用在吸附有增感染料的半导体电极与对向电极之间具有电 解质层的染料增感型光电转换器件的电子设备，其特征在于：所述染料包 括两种染料，并且所述两种染料被吸附在所述半导体电极的表面上晶面指 数彼此不同的结晶面处。

12.一种吸附有增感染料的半导体电极，其特征在于：所述染料包括 两种染料，并且所述两种染料被吸附在所述半导体电极的表面上晶面指数 彼此不同的结晶面处。

13.一种制造吸附有增感染料的半导体电极的方法，其特征在于：通 过将所述半导体电极浸渍在包含作为所述染料的两种染料的染料溶液中， 使所述两种染料吸附到所述半导体电极的表面上晶面指数彼此不同的结晶 面处。

14.一种在吸附有增感染料的半导体电极与对向电极之间具有电解质 层的染料增感型光电转换器件，其特征在于：所述染料包括多种染料，并 且所述多种染料中的至少两种染料被吸附到所述半导体电极的表面上晶面 指数彼此不同的结晶面处。

15.一种制造在吸附有增感染料的半导体电极与对向电极之间具有电 解质层的染料增感型光电转换器件的方法，其特征在于：通过将所述半导 体电极浸渍在包含作为所述染料的多种染料的染料溶液中，使所述多种染 料中的至少两种染料被吸附到所述半导体电极的表面上晶面指数彼此不同 的结晶面处。