[发明专利]超光滑面溅射靶及其制造方法有效
申请号: | 200880003420.8 | 申请日: | 2008-01-29 |
公开(公告)号: | CN101595239A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 特里·L·班克斯;戴维·B·斯马瑟斯 | 申请(专利权)人: | 东曹SMD有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 宋 莉 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光滑 溅射 及其 制造 方法 | ||
1.处理溅射靶表面以去除表面变形层厚度从而在溅射过程中实现降低 的预烧时间同时最小化所述靶表面的污染的方法,包括:将所述靶表面与 包含分散在震凝介质中的研磨颗粒的粘弹性研磨介质(VEAM)接触,并且赋 予在所述靶表面和所述介质之间的相对运动,从而对所述靶表面进行挤压 珩磨抛光,其中在所述挤压珩磨抛光之后,所述靶表面基本上不含来自所 述抛光的污染物颗粒。
2.权利要求1的方法,其中所述运动为周期性的。
3.权利要求1的方法,其中所述运动为摆动。
4.权利要求1的方法,其中在所述抛光之后,所述靶具有小于5微米 的表面粗糙度。
5.权利要求1的方法,其中所述靶包括选自铜、钽、铌、钨、钛、锆、 铪、铝、镍、钴、铂、以及它们的合金的物质。
6.权利要求1的方法,其中所述溅射靶具有凹面形状。
7.权利要求1的方法,其中在所述抛光之后,所述靶基本上不受氢污 染。
8.权利要求1的方法,其中所述研磨颗粒选自金刚石、碳化物、氧化 铝、二氧化硅和石榴石。
9.权利要求8的方法,其中所述碳化物选自碳化硅、碳化硼、和碳化 钨。
10.权利要求8的方法,其中所述研磨颗粒直径为1~2000μm。
11.权利要求1的方法,其中所述震凝介质包括选自聚合物凝胶和聚(硼 硅氧烷)的物质。
12.权利要求1的方法,其中在所述抛光施加的应变下,所述粘弹性 研磨介质(VEAM)主要表现为弹性固体。
13.权利要求12的方法,其中所述粘弹性研磨介质具有n=2×104厘 泊~n=8×106厘泊的静态粘度,并且其中研磨颗粒以基于所述粘弹性研磨 介质(VEAM)重量的30~90重量%的量存在于所述粘弹性研磨介质(VEAM) 中。
14.权利要求1的方法,进一步包括:
提供能旋转的夹持机构并且将所述靶安装于其上;
提供与所述靶相邻的移动体部件并且在所述靶表面和所述移动体部件 之间形成间隙;
和将所述粘弹性研磨介质(VEAM)供给到所述间隙从而抛光所述靶表 面。
15.权利要求14的方法,进一步包括提供在所述靶表面和所述移动体 部件之间的直线相对运动。
16.权利要求14的方法,进一步包括使所述靶表面相对于所述移动体 部件旋转。
17.权利要求16的方法,进一步包括在所述旋转期间使所述靶和所述 移动体部件彼此相向和分离的直线运动。
18.权利要求14的方法,进一步包括:使所述移动体部件旋转,提供 用于所述能旋转的夹持机构的第一旋转轴线和用于所述移动体部件的第二 旋转轴线,所述第一和第二轴线彼此平行但是彼此偏置,从而在所述夹持 机构和所述移动体都旋转时提供对所述靶表面的轨道抛光。
19.适用于在溅射室中产生等离子体的类型的无线电频率线圈表面的 处理方法,该方法包括:使所述表面与包括分散在震凝介质中的研磨颗粒 的粘弹性研磨介质接触,和赋予在所述表面和所述介质之间的相对运动, 从而挤压珩磨抛光所述线圈表面。
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