[发明专利]用于制备其中芳族聚合物结合到基材上的结构体的方法、含结合到导电基材上的芳族聚合物链的结构体和含该结构体的电子器件无效
申请号: | 200880003580.2 | 申请日: | 2008-02-01 |
公开(公告)号: | CN101595153A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 田中健太;东村秀之;横泽勉;石川垒 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | C08G61/02 | 分类号: | C08G61/02;C08G61/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 柳春琦 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制备 其中 聚合物 结合 基材 结构 方法 导电 电子器件 | ||
1.一种用于制备结构体的方法,所述结构体具有基材和结合到所述基 材上的芳族聚合物,所述方法包括使由下述通式(I)表示的芳族化合物在溶 剂中、在聚合催化剂和具有由下述通式(II)表示的基团的基材的存在下缩聚 的步骤,
[式1]
在式(I)中,Ar是包含芳环的二价基团,
X是卤素原子、硝基或由-SO3Q表示的一价基团,其中Q表示取代或 未取代的烃基,
Y是氧原子、硫原子、亚氨基、取代的亚氨基、亚乙烯基、取代的亚 乙烯基、或亚乙炔基,
n为0或1,
M是氢原子;-B(OQ1)2,其中两个Q1独立地表示氢原子或烃基,或结 合在一起以形成环;-Si(Q2)3,其中Q2是烃基;-Sn(Q3)3,其中Q3是烃基; 或-Z1(Z2)m,其中Z1是金属原子或金属离子,Z2是抗衡阴离子,并且m是 0以上的整数;
[式2]
——Ara—(Xa)p (II)
在式(II)中,Ara是价态为p+1并且包含芳环的基团,Xa是卤素原子或 由-SO3Qa表示的一价基团,其中Qa表示取代或未取代的烃基,p是1以上 的整数,并且当p是2以上的整数时,存在的多个Xa彼此相同或不同。
2.根据权利要求1所述的用于制备结构体的方法,其中所述聚合催化 剂是钯配合物。
3.根据权利要求1或2所述的用于制备结构体的方法,其中所述具有 由通式(II)表示的基团的基材通过使基材与含有所述由通式(II)表示的基团 和官能团的偶联剂反应而制备。
4.根据权利要求3所述的用于制备结构体的方法,其中所述含有由通 式(II)表示的基团和官能团的偶联剂是选自硫醇型偶联剂和硅烷偶联剂中 的至少一种。
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