[发明专利]辐射敏感探测器

权利要求书

1.一种辐射探测设备，包括：

X射线源(112)，其生成横穿检查区域(108)的透射辐射；

探测器(116)，其包括探测所述辐射并生成表示所述辐射的信号的光 转换器，其中，所述光转换器包括：

光接收区域(260)，其位于所述光转换器的背侧(264)上，其中， 所述光接收区域接收表示所探测辐射的光，

读出电子装置(240)，其位于所述光转换器的前侧(228)之内， 所述前侧与所述背侧(264)相对，其中，所述读出电子装置(240)处理 表示所接收光的光电流以生成表示所述所探测辐射的所述信号，以及

光电二极管(208，212，232)，其置于所述光接收区域(260)和 所述读出电子装置(240)之间，其中，所述光电二极管(212)产生所述 光电流；以及

重建器(128)，所述重建器重建所述信号以生成表示所述检查区域 (108)的图像数据。

2.根据权利要求1所述的辐射探测设备，其中，所述光转换器是形成 于公共衬底中的背照明光电二极管和读出电子装置。

3.根据权利要求1所述的辐射探测设备，其中，所述光电二极管(208， 212，232)的n阱区域(232)屏蔽所述读出电子装置(240)，使其不受所 述光电二极管(208，212，232)的外延区域(208)中的激励电子影响。

4.根据权利要求1所述的辐射探测设备，其中，所述读出电子装置(240) 包括积分器和模数转换器。

5.根据权利要求1所述的辐射探测设备，其中，所述光转换器是利用.8 微米CMOS工艺形成的。

6.根据权利要求1所述的辐射探测设备，其中，所述光电二极管(208， 212，232)包括与掺杂n型半导体区域(232)相通的掺杂p型半导体区域 (208)。

7.根据权利要求1所述的辐射探测设备，其中，所述光电二极管(208， 212，232)的p型半导体区域(208)具有700到1000微米的少数电荷载 流子扩散长度。

8.根据权利要求1所述的辐射探测设备，其中，所述光电二极管(208， 212，232)的p型半导体区域(208)具有30到120微米的厚度。

9.根据权利要求1所述的辐射探测设备，其中，所述光电二极管(208， 212，232)的p型半导体区域(208)具有大约为少数电荷载流子扩散长度 十分之一的厚度。

10.根据权利要求1所述的辐射探测设备，其中，所述探测器(116) 至少还包括第二个光转换器，其中，所述光转换器物理地耦合以形成探测 器元件(120)的阵列。

11.根据权利要求1所述的辐射探测设备，其中，所述光转换器还包 括减少所述光接收区域(260)处的电子-空穴载流子复合的层(256)。

12.根据权利要求1所述的辐射探测设备，还包括与所述光接收区域 (260)光学相通的闪烁体(124)，其中，所述闪烁体(124)接收所述辐 射并产生所述光。