[发明专利]用于光处理的超材料结构以及处理光的方法无效
申请号: | 200880003629.4 | 申请日: | 2008-01-29 |
公开(公告)号: | CN101595609A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | A·布拉特科夫斯基 | 申请(专利权)人: | 惠普开发有限公司 |
主分类号: | H01S3/136 | 分类号: | H01S3/136;H01S3/137;H01S5/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 薛 峰;谭祐祥 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 材料 结构 以及 方法 | ||
背景技术
[0001]在光处理系统中,可以用非线性材料的晶体来改变光的频 率(因此也改变光的波长),以产生期望频率的光。例如,可以将晶 体用作倍频器,以便使入射在该晶体上的光的频率加倍而波长减半。 该过程被称为二次谐波发生。在这样的晶体中,二次谐波转换效率在 较低的入射光强度情况下比较低,但是随着入射光强度增加,二次谐 波转换效率会有所增加。不过,这种二次谐波发生过程的效率通常都 比较低。
[0002]因此,期望提供能够产生高效率的高次谐波转换的光处理 系统以及方法。
发明内容
[0003]用于光处理的超材料(metamaterial)结构的示例性实施例 包括:光导;具有谐振频率ωR的复合谐振电磁(EM)结构,将该复 合谐振电磁结构定位成与沿着光导传播的光相互作用,以便将该光的 频率ω上变频至ωR,这会产生ω的二次和/或更高次谐波。
[0004]用于光处理的超材料结构的另一个示例性实施例包括:第 一光导;第二光导;第三光导;具有第一谐振频率ωR1的第一复合谐 振电磁(EM)结构,将该第一复合谐振电磁结构定位成与沿着该第 一光导传播的光相互作用,以便将该光的频率ω1上变频至ωR1,这会 产生ω1的二次和/或更高次谐波;具有第二谐振频率ωR2的第二复合 谐振电磁结构,将该第二复合谐振电磁结构定位成与沿着该第二光导 传播的光相互作用,以便将该光的频率ω2上变频至ωR2,这会产生ω2的二次和/或更高次谐波;以及具有第三谐振频率ωR3的第三复合谐振 电磁结构,将该第三复合谐振电磁结构定位成与沿着该第三光导传播 的光相互作用,以便将该光的频率ω3上变频至ωR3,这会产生ω3的 二次和/或更高次谐波。
[0005]采用超材料结构来处理光的方法的示例性实施例包括:沿 着延伸穿过具有第一谐振频率ωR1的第一复合谐振电磁(EM)结构的 第一光导传播光,该第一复合谐振电磁结构与沿着该第一光导传播的 光相互作用,以便将该光的频率ω1上变频至ωR1,这会产生ω1的二 次和/或更高次谐波。
附图说明
[0006]图1示出了包括超材料结构的光处理系统的示例性实施 例。
[0007]图2示出了超材料结构的另一个示例性实施例,其包括分 裂环谐振器。
[0008]图3示出了超材料结构的另一个示例性实施例,其包括印 制纳米谐振器。
[0009]图4示出了超材料结构的另一个示例性实施例,其包括周 期的孔布置。
[0010]图5描绘了包括金属-绝缘体-金属三层结构的超材料结构 的电磁响应。
[0011]图6是在图5中右侧处所示的超材料结构的一部分的放大 视图。
[0012]图7示出了光处理系统的另一个示例性实施例,其包括三 种超材料结构以及三个相关联的光源。
具体实施方式
[0013]图1示出了超材料结构100的示例性实施例。超材料100 包括沿着光导104布置的复合谐振电磁(EM)结构102。如所示,将 超材料结构100设置在还包括光源106的光处理系统内。将光源106 布置成把光发射进入到光导104中。取决于光源106的类型,该光可 以是单色的(例如,激光),基本上仅含有单一的频率,或者该光可 以包含一个频率范围(例如,宽带光)。该光沿着光导104传播,并 且与复合谐振电磁结构102相互作用。在复合谐振电磁结构102的相 对端部处设置有可任选的谐振器108。可任选的外部包覆110围绕在 复合谐振电磁结构102的周围。
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