[发明专利]多指栅碳纳米管场效应晶体管

权利要求书

1.一种多指栅纳米管场效应晶体管，其包括：

具有长度的单一纳米管，其形成于基底上；

形成在所述单一纳米管上的组合的场效应晶体管，所述组合的场 效应晶体管进一步包括：

源极电极，其具有从其延伸的多个源极指状电极；

漏极电极，其具有从其延伸的多个漏极指状电极；

栅极电极，其具有从其延伸的多个栅极指状电极；

其中所述源极指状电极、漏极指状电极和栅极指状电极中的每个 被平行设置并且彼此相邻在所述单一纳米管上延伸，从而形成平行设 置且电连接的多个单独的场效应晶体管装置。

2.根据权利要求1所述的多指栅纳米管场效应晶体管，其中所述 多个场效应晶体管装置中的每一个包括：

多个平行指状电极，其形成于所述单一纳米管上。

3.根据权利要求2所述的多指栅纳米管场效应晶体管，其中所述 多个平行指状电极包括源极指状电极、漏极指状电极和栅极指状电极， 其中每个指状电极具有延伸超过所述单一纳米管对应部分的宽度。

4.根据权利要求3所述的多指栅纳米管场效应晶体管，其进一步 包括在所述单一纳米管上的所述栅极指状电极和所述漏极指状电极之 间无几何重叠。

5.根据权利要求3所述的多指栅纳米管场效应晶体管，其中所述 源极指状电极、漏极指状电极和栅极指状电极被设置为具有在每个源 极指状电极和相应的漏极指状电极之间的源极-漏极间隙，其中所述源 极-漏极间隙比与所述源极-漏极间隙相邻的对应的栅极指状电极的宽 度更宽，以最小化所述栅极指状电极和所述漏极指状电极之间的米勒 电容(Cgd)。

6.根据权利要求3所述的多指栅纳米管场效应晶体管，进一步包 括低K电介质，其分隔所述源极指状电极和所述栅极指状电极。

7.根据权利要求6所述的多指栅纳米管场效应晶体管，其中所述 低K电介质最小化所述源极指状电极和所述栅极指状电极之间的电 容。

8.根据权利要求2所述的多指栅纳米管场效应晶体管，其中所述 晶体管可扩展为多个瓦特装置。

9.根据权利要求3所述的多指栅纳米管场效应晶体管，其进一步 包括：分别连接到所述源极指状电极、所述漏极指状电极和所述栅极 指状电极的源极导线电极、漏极导线电极和栅极导线电极，其中所述 源极指状电极、所述漏极指状电极和所述栅极指状电极中的每一个的 长度小于其各自源极引线电极、漏极引线电极和栅极引线电极的宽度， 以使所述引线电极的电阻和电感最小。

10.根据权利要求1所述的多指栅纳米管场效应晶体管，其中所述 组合的场效应晶体管包括x个源极指状电极，x个漏极指状电极和y 个栅极指状电极，其中y＞x＞1，从而形成2x个平行设置且电连接的单 独的场效应晶体管装置。

11.根据权利要求1所述的多指栅纳米管场效应晶体管，其中每个 所述源极电极、漏极电极和栅极电极具有大于它们对应的源极指状电 极、漏极指状电极和栅极指状电极的各自的宽度，从而最小化所述引 线电极的电阻和电感。

12.一种多指栅纳米管场效应晶体管，其包括：

形成在基底上的多个纳米管；

形成在多个所述纳米管上的组合的场效应晶体管，所述组合的场 效应晶体管进一步包括：

源极电极，其具有从其延伸的多个源极指状电极；

漏极电极，其具有从其延伸的多个漏极指状电极；

栅极电极，其具有从其延伸的多个栅极指状电极；

其中所述源极指状电极、漏极指状电极和栅极指状电极中的每个 被平行设置并且彼此相邻在所述单一纳米管上延伸，从而形成平行设 置且电连接的多个单独的场效应晶体管装置；及

其中多个纳米管形成于所述多个单独的场效应晶体管装置中每一 个上的所述源极指状电极和所述漏极指状电极之间。