[发明专利]成膜方法、基板处理装置和半导体装置

权利要求书

1.一种成膜方法，其为对被处理基板进行成膜的方法，该被处理 基板具有在含硅表面上形成的绝缘膜、和形成于所述绝缘膜并到达所 述含硅表面的孔，该成膜方法的特征在于，包括：

形成单一的氮化钛膜的工序；和

在所述氮化钛膜上形成钨膜的工序，

所述形成单一的氮化钛膜的工序将以下的处理作为1个循环，并 将这些处理反复进行多个循环，由此形成单一的氮化钛膜，其中，所 述处理为

向收容有所述被处理基板的处理室内一边导入还原气体一边导入 钛化合物气体，生成等离子体，由此在所述绝缘膜上和所述孔底部的 所述含硅表面上形成钛膜的处理，

向所述处理室内一边导入所述还原气体和氩气一边导入氨气，生 成等离子体，由此将所述钛膜全部氮化的处理和

使等离子体消失，并且停止向处理室内的氨气的供给，对于还原 气体和氩气，调整为与将所述钛膜全部氮化的处理时相同的流量，利 用这些气体对残留在所述处理室内的所述氨气进行吹扫的处理。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在所述形成钛膜的处理中，将所述被处理基板调整为第一温度， 使得所述含硅表面的硅与所述钛膜的钛发生反应，在所述含硅膜表面 上形成合金层。

3.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

所述第一温度为400～550℃。

4.如权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其特征在于：

通过1个循环的所述形成钛膜的处理形成的所述钛膜的膜厚比 5nm薄。

5.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

所述钨膜形成工序包括第一钨膜形成工序，在该第一钨膜形成工 序中，将所述被处理基板的温度维持为氟与所述合金层的合金不发生 反应的第二温度，并向收容有所述被处理基板的处理室内多次交替地 导入氟化钨气体和还原气体，形成第一钨膜。

6.如权利要求5所述的成膜方法，其特征在于：

所述第二温度为250～350℃。

7.如权利要求5或6所述的成膜方法，其特征在于：

所述钨膜形成工序还包括第二钨膜形成工序，在该第二钨膜形成 工序中，同时向所述处理室内导入所述氟化钨气体和所述还原气体， 在所述第一钨膜上形成第二钨膜。

8.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在所述氮化钛膜形成工序之前，进行利用含有氟化氢气体的清洁 气体除去附着在所述被处理基板上的异物的清洁处理。

9.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于：

所述清洁处理是通过使所述异物与所述清洁气体反应而生成生成 物，并加热所述被处理基板使所述生成物气化的处理。

10.如权利要求8或9所述的成膜方法，其特征在于：

所述清洁处理是使用所述氟化氢气体和水分除去所述异物的处 理。