[发明专利]防止光纤中的电介质击穿有效
申请号: | 200880004150.2 | 申请日: | 2008-02-05 |
公开(公告)号: | CN101688949A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 西达尔斯·拉马钱德兰;安德鲁·D·亚布龙 | 申请(专利权)人: | OFS菲特尔有限责任公司 |
主分类号: | G02B6/26 | 分类号: | G02B6/26 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郭思宇 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 光纤 中的 电介质 击穿 | ||
1.一种光纤系统,包括:
用于计算与第一高阶模信号相关联的峰值电场的装置;
用于确定第一高阶模信号的峰值电场是否超过了光纤的电介质 击穿阈值的装置;以及
用于当第一高阶模信号超过了光纤的电介质击穿阈值时选择第 二高阶模信号的装置,该第二高阶模信号与第一高阶模信号有基本上 相同的能量,第二高阶模信号具有不超过光纤的电介质击穿阈值的峰 值电场。
2.在具有电介质击穿阈值的光纤中,一种方法包括如下步骤:
计算与第一高阶模信号相关联的峰值电场;
确定第一高阶模信号的峰值电场是否超过了光纤的电介质击穿 阈值;以及
响应于峰值电场超过了电介质击穿阈值,选择第二高阶模信号, 该第二高阶模信号与第一高阶模信号有基本上相同的能量,第二高阶 模信号具有不超过光纤的电介质击穿阈值的峰值电场。
3.如权利要求2所述的方法,其中选择第二高阶模信号的步骤 包括计算第二高阶模信号的峰值电场的步骤。
4.如权利要求2所述的方法,计算高阶模信号的峰值电场的步 骤包括计算峰值强度(Ipeak)的步骤,其中:
Ipeak=(Ppeak·kr)/(2π(m-0.221)),
其中Ppeak表示峰值功率,kr是与光纤的内包层尺寸相关的值, 并且m表示模阶数。
5.如权利要求2所述的方法,选择第二高阶模信号的步骤包括 将第二高阶模信号的峰值电场与电介质击穿阈值相比较的步骤。
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