[发明专利]防止光纤中的电介质击穿有效

专利信息
申请号: 200880004150.2 申请日: 2008-02-05
公开(公告)号: CN101688949A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 西达尔斯·拉马钱德兰;安德鲁·D·亚布龙 申请(专利权)人: OFS菲特尔有限责任公司
主分类号: G02B6/26 分类号: G02B6/26
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郭思宇
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 防止 光纤 中的 电介质 击穿
【权利要求书】:

1.一种光纤系统,包括:

用于计算与第一高阶模信号相关联的峰值电场的装置;

用于确定第一高阶模信号的峰值电场是否超过了光纤的电介质 击穿阈值的装置;以及

用于当第一高阶模信号超过了光纤的电介质击穿阈值时选择第 二高阶模信号的装置,该第二高阶模信号与第一高阶模信号有基本上 相同的能量,第二高阶模信号具有不超过光纤的电介质击穿阈值的峰 值电场。

2.在具有电介质击穿阈值的光纤中,一种方法包括如下步骤:

计算与第一高阶模信号相关联的峰值电场;

确定第一高阶模信号的峰值电场是否超过了光纤的电介质击穿 阈值;以及

响应于峰值电场超过了电介质击穿阈值,选择第二高阶模信号, 该第二高阶模信号与第一高阶模信号有基本上相同的能量,第二高阶 模信号具有不超过光纤的电介质击穿阈值的峰值电场。

3.如权利要求2所述的方法,其中选择第二高阶模信号的步骤 包括计算第二高阶模信号的峰值电场的步骤。

4.如权利要求2所述的方法,计算高阶模信号的峰值电场的步 骤包括计算峰值强度(Ipeak)的步骤,其中:

Ipeak=(Ppeak·kr)/(2π(m-0.221)),

其中Ppeak表示峰值功率,kr是与光纤的内包层尺寸相关的值, 并且m表示模阶数。

5.如权利要求2所述的方法,选择第二高阶模信号的步骤包括 将第二高阶模信号的峰值电场与电介质击穿阈值相比较的步骤。

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