[发明专利]含有吲哚化合物的组合物及使用该组合物而得到的发光元件

权利要求书

1、一种组合物，

其含有具有吲哚环结构的化合物和磷光发光性化合物。

2、如权利要求1所述的组合物，其中，

所述具有吲哚环结构的化合物具有选自下述通式(1-1)、(1-2)、(1-3)、(1-4)、(2-1)、(2-2)、(2-3)及(2-4)中的至少一种吲哚环结构，

式中，R及R¹分别独立地表示氢原子或1价取代基，R及R¹存在多个时，它们可以相同或不同。

3、如权利要求1或2所述的组合物，其中，

通过计算科学的方法算出的所述具有吲哚环结构的化合物的最低三重态激发能为2.7eV以上。

4、如权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，

通过计算科学的方法算出的所述具有吲哚环结构的化合物的最低未占有分子轨道的能级绝对值为1.4eV以上。

5、如权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，

所述具有吲哚环结构的化合物的最低三重态激发能ETP与所述磷光发光性化合物的最低三重态激发能ETT满足下式：

ETT＞ETP-0.5(ev)。

6、如权利要求1～5中任一项所述的组合物，其中，

所述具有吲哚环结构的化合物为由下述通式(A-1)或(A-2)表示的化合物或具有它们的残基的化合物，

式中，indl表示由所述通式(1-1)、(1-2)、(1-3)或(1-4)表示的吲哚环结构，Y¹表示-C(R^a)(R^b)-、-C(＝O)-、-N(R^c)-、-O-、-Si(R^d)(R^e)-、-P(R^f)-、-S-或-S(＝O)₂-，n为0～5的整数，Ar₁表示可以具有取代基的1价芳基或可以具有取代基的1价杂环基，Y¹存在多个时，它们可以相同或不同，R^a～R^f分别独立地表示氢原子或1价取代基。

7、如权利要求1～5中任一项所述的组合物，其中，

所述具有吲哚环结构的化合物为由下述通式(3a)、(3b)或(3c)表示的化合物，

式中，indl表示由所述通式(1-1)、(1-2)、(1-3)或(1-4)表示的吲哚环结构，X表示可以具有取代基的m1价芳香族基团或可以具有取代基的m1价芳香族杂环基团，X’表示可以具有取代基的m3价芳香族基团或可以具有取代基的m3价芳香族杂环基团，Ar表示可以具有取代基的亚芳基，Z表示连结基团，m1、m2及m3分别独立地为2～8的整数，Z存在多个时，它们可以相同或不同，存在的多个Ar及indl可以分别相同或不同。

8、如权利要求1～7中任一项所述的组合物，其中，

所述具有吲哚环结构的化合物是具有由所述通式(1-1)、(1-2)、(1-3)、(1-4)、(2-1)、(2-2)、(2-3)或(2-4)表示的吲哚环结构和与该吲哚环结构邻接的具有至少2个π共轭电子的部分结构，并且该吲哚环结构与该部分结构之间的二面角为20°以上的化合物。

9、如权利要求8所述的组合物，其中，

所述吲哚环结构与所述部分结构之间的二面角为35°以上。

10、如权利要求2～9中任一项所述的组合物，其中，

所述R及R¹中的至少一个为烷基、烷氧基、可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基。

11、如权利要求2～9中任一项所述的组合物，其中，

存在的多个所述R及R¹中的至少一个是碳原子数为3～10的烷基或碳原子数为3～10的烷氧基。

12、如权利要求2～9中任一项所述的组合物，其中，

所述R中的至少一个是氢原子以外的原子总数为3以上的1价取代基。

13、如权利要求1～12中任一项所述的组合物，其中，

所述具有吲哚环结构的化合物为高分子。