[发明专利]高分辨率光学信息存储介质无效
申请号: | 200880004507.7 | 申请日: | 2008-02-05 |
公开(公告)号: | CN101606201A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | B·霍特;L·普皮内;B·安德烈;P·沙东 | 申请(专利权)人: | 原子能委员会 |
主分类号: | G11B7/257 | 分类号: | G11B7/257 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高分辨率 光学 信息 存储 介质 | ||
1.高分辨率光学信息存储结构,其包括带有物理标记的基片(10),所述物理标记的几何结构确定了所记录的信息;在所述基片的标记上面的三层叠层(12、14、16);以及在这个叠层上的一个透明保护层(18),所述叠层包括插在两个硫化锌/氧化硅(ZnS/SiO2)介电层(12、16)之间的锑化铟或锑化镓层(14)。
2.权利要求1的结构,其特征在于,在所述锑化物层(14)中锑的原子比为45%-55%,铟或镓的比例为45%至达到100%的余数。
3.权利要求2的结构,其特征在于,所述锑化物层(14)是化学计量的InSb或GaSb层。
4.权利要求1-3之一的结构,其特征在于,所述InSb或GaSb锑化物层的厚度为10-50nm。
5.权利要求4的结构,其特征在于,所述InSb或GaSb锑化物层的厚度为20-30nm。
6.权利要求1-5之一的结构,其特征在于,所述每个ZnS/SiO2介电层都具有20-100nm的厚度。
7.权利要求6的结构,其特征在于,覆盖所述基片上的标记的下层ZnS/SiO2层(12)具有约50-70nm的厚度。
8.权利要求6或7的结构,其特征在于,上层ZnS/SiO2层(16)具有约50-60nm的厚度。
9.权利要求1-8之一的结构,其特征在于,选择ZnS和SiO2的原子比例在ZnS 85at%/SiO2 15at%(85/15的比例)和ZnS 70at%/SiO2 30at%(70/30的比例)之间。
10.权利要求1-9之一的结构,其特征在于,所述基片由聚碳酸酯制成。
11.权利要求1-10之一的结构,其特征在于,刻在基片上的所述物理标记是冲压的凹槽。
12.根据权利要求1-11之一所述的结构在制造用于通过蓝色激光读取器超分辨率读取的光盘上的用途,一些物理标记具有的长度和宽度小于100nm。
13.根据权利要求1-11之一所述的结构在制造用于通过红色激光读取器超分辨率读取的光盘上的用途,一些物理标记具有的长度和宽度小于200nm。
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