[发明专利]高分辨率光学信息存储介质无效

专利信息
申请号: 200880004507.7 申请日: 2008-02-05
公开(公告)号: CN101606201A 公开(公告)日: 2009-12-16
发明(设计)人: B·霍特;L·普皮内;B·安德烈;P·沙东 申请(专利权)人: 原子能委员会
主分类号: G11B7/257 分类号: G11B7/257
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 过晓东
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 高分辨率 光学 信息 存储 介质
【权利要求书】:

1.高分辨率光学信息存储结构,其包括带有物理标记的基片(10),所述物理标记的几何结构确定了所记录的信息;在所述基片的标记上面的三层叠层(12、14、16);以及在这个叠层上的一个透明保护层(18),所述叠层包括插在两个硫化锌/氧化硅(ZnS/SiO2)介电层(12、16)之间的锑化铟或锑化镓层(14)。

2.权利要求1的结构,其特征在于,在所述锑化物层(14)中锑的原子比为45%-55%,铟或镓的比例为45%至达到100%的余数。

3.权利要求2的结构,其特征在于,所述锑化物层(14)是化学计量的InSb或GaSb层。

4.权利要求1-3之一的结构,其特征在于,所述InSb或GaSb锑化物层的厚度为10-50nm。

5.权利要求4的结构,其特征在于,所述InSb或GaSb锑化物层的厚度为20-30nm。

6.权利要求1-5之一的结构,其特征在于,所述每个ZnS/SiO2介电层都具有20-100nm的厚度。

7.权利要求6的结构,其特征在于,覆盖所述基片上的标记的下层ZnS/SiO2层(12)具有约50-70nm的厚度。

8.权利要求6或7的结构,其特征在于,上层ZnS/SiO2层(16)具有约50-60nm的厚度。

9.权利要求1-8之一的结构,其特征在于,选择ZnS和SiO2的原子比例在ZnS 85at%/SiO2 15at%(85/15的比例)和ZnS 70at%/SiO2 30at%(70/30的比例)之间。

10.权利要求1-9之一的结构,其特征在于,所述基片由聚碳酸酯制成。

11.权利要求1-10之一的结构,其特征在于,刻在基片上的所述物理标记是冲压的凹槽。

12.根据权利要求1-11之一所述的结构在制造用于通过蓝色激光读取器超分辨率读取的光盘上的用途,一些物理标记具有的长度和宽度小于100nm。

13.根据权利要求1-11之一所述的结构在制造用于通过红色激光读取器超分辨率读取的光盘上的用途,一些物理标记具有的长度和宽度小于200nm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能委员会,未经原子能委员会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880004507.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top