[发明专利]用于激光束空间强度分布优化的系统和方法

权利要求书

1.一种用于处理基底的设备，包括：

被配置来产生激光的激光器，所述激光器被配置为具有高能模式和低能模式，所述高 能模式被配置来产生足以完全熔融硅膜的光能，而所述低能模式被配置来产生不足以完全 熔融硅膜的光能，所述激光器被配置来跨所述基底的第一区工作在所述低能模式并且被进 一步地配置来跨所述基底的第二区工作在所述高能模式，其中所述基底的所述第一区和所 述第二区是不同的区；

光束整形光学系统，所述光束整形光学系统耦合到所述激光器并且被配置来将从所述 激光器发出的激光转换为具有短轴和长轴的长而薄的光束；

工作台，所述工作台被配置来支撑所述基底和膜；以及

耦合到所述工作台的平移器，所述平移器被配置来推进所述基底和膜，从而产生与所 述激光器的发射相协同的步长；

其中所述平移器和所述激光器的所述发射被配置来在所述低能模式中产生与所述高 能模式的所述步长相比较小的步长。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述低能模式被用于处理显示区域。

3.如权利要求1所述的设备，其中所述高能模式被用于处理电路区域。

4.如权利要求1所述的设备，其中，当使用所述低能模式时，所述短轴上的光束宽 度大致为20μm。

5.如权利要求1所述的设备，其中，当使用所述低能模式时，所述步长大致为1μm。

6.如权利要求1所述的设备，其中，当在所述低能模式时，所述步长被配置为使得 跨可以形成于所述基底上的电子器件的宽度发生大致10次激光照射。

7.如权利要求1所述的设备，其中，当在所述高能模式时，所述步长被配置为接近 一长度，所述长度等于熔融区的宽度的约一半。

8.如权利要求1所述的设备，其中所述高能模式在所述基底的表面产生大致 750mJ/cm²。

9.如权利要求1所述的设备，其中所述低能模式在所述基底的表面产生大致 250mJ/cm²。

10.如权利要求1所述的设备，其中，当使用所述高能模式时，所述步长为大致5μm。

11.如权利要求1所述的设备，其中，当使用所述高能模式时，所述步长为大致2.0μm。

12.如权利要求1所述的设备，其中所述设备被配置来处理以非晶硅包覆的玻璃面板。