[发明专利]具有等离子体辐射源的设备和形成辐射束的方法以及光刻设备无效
申请号: | 200880004740.5 | 申请日: | 2008-02-14 |
公开(公告)号: | CN101606104A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | V·M·克里夫特逊;V·Y·班尼恩;V·V·伊娃诺夫;E·D·克洛普;K·N·克什烈夫;Y·V·斯戴尼克夫;O·雅克什夫 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 等离子体 辐射源 设备 形成 辐射 方法 以及 光刻 | ||
1.一种用于形成电磁辐射束的设备,所述设备包括:
等离子体辐射源;
翼片阱,所述翼片阱设置有基本上平行于所述等离子体辐射源的辐射 的方向延伸的多个薄翼片,所述薄翼片用作捕获传播方向偏离EUV辐射的 传播方向的带电粒子;
格栅,所述格栅设置在所述等离子体辐射源和所述翼片阱之间,其中 在所述格栅和所述翼片阱之间设置空间;
电势应用电路,所述电势应用电路构造并布置成施加电势到所述格栅, 使得所述格栅排斥由所述等离子体辐射源发射的电子,并且在所述格栅和 所述翼片阱之间产生正的空间电荷,以将由所述等离子体辐射源发射的离 子偏转到所述翼片阱。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述电势应用电路包括电压源, 所述电压源配置成在所述格栅和所述等离子体辐射源面向所述格栅的至少 一个表面之间施加电压差,所述电压差具有一个极性使得所述格栅相对于 所述等离子体辐射源的所述表面上的电势处于负的电势。
3.根据权利要求1所述的设备,其中,所述电势应用电路配置成施加 相同的电势到所述格栅和所述等离子体辐射源面对所述格栅的表面。
4.根据权利要求1所述的设备,其中,所述格栅具有与球面的一部分 一致的弯曲形状,或具有根据虚拟球面部分分布的相对于彼此成角度的多 个平面部分。
5.根据权利要求1所述的设备,还包括至少一个分隔件,所述至少一 个分隔件将所述格栅和所述翼片阱之间的空间分成隔间,每个隔间具有大 于所述翼片阱的翼片之间的空间的尺寸,所述隔间从所述格栅朝向所述翼 片阱延伸。
6.根据权利要求5所述的设备,其中,所述至少一个分隔件是所述翼 片阱的所述翼片中的一个的延伸。
7.根据权利要求5所述的设备,其中,所述隔间的直径在所述格栅和 所述翼片阱之间的距离的一半和两倍之间,所述隔间的直径是在与从所述 格栅到翼片阱的虚拟线相正交的平面中相邻分隔件之间的最长虚拟线的长 度。
8.根据权利要求5所述的设备,其中,所述至少一个分隔件包括从所 述等离子体辐射源发出的多条线相互成角度地延伸的多个分隔件。
9.根据权利要求1所述的设备,其中,所述格栅包括伸长的格栅元件, 所述伸长的格栅元件在从所述等离子体辐射源到所述翼片阱的第一方向上 比在横截所述第一方向的第二方向上延伸更远。
10.根据权利要求1所述的设备,其中,所述格栅的格栅开口的尺寸小 于或等于:在运行期间在所述格栅的等离子体辐射源侧由所述等离子体辐 射源产生的等离子体的德拜长度、乘以1减去所述格栅的电势除以位于所 述格栅的等离子体辐射源侧的所述等离子体和所述等离子体辐射源的所述 电势之间的电势差所得的比值的差值的平方根。
11.根据权利要求1所述的设备,其中,所述格栅和所述翼片阱之间的 距离至少等于所述翼片阱的半径的一半。
12.根据权利要求1所述的设备,还包括所述格栅和所述等离子体辐射 源之间的第二格栅和第二电势应用电路,所述第二电势应用电路配置成施 加高于由所述电势应用电路施加到所述格栅上的电势的另一电势到所述第 二格栅。
13.一种用于形成辐射束的方法,所述方法包括步骤:
从等离子体辐射源产生辐射;
使所述辐射传播通过翼片阱,所述翼片阱设置有基本上平行于所述等 离子体辐射源的辐射的方向延伸的多个薄翼片,所述薄翼片用作捕获传播 方向偏离EUV辐射的传播方向的带电粒子;和
通过施加电势到位于所述等离子体辐射源和所述翼片阱之间的格栅 上,而在所述翼片阱与所述格栅之间的空间中产生带正电的离子的净空间 电荷,所述电势的水平使得格栅排斥由所述等离子体辐射源发射的电子。
14.根据权利要求13所述的方法,还包括相对于所述等离子体辐射源 面对所述格栅的表面的电势施加负的电势到所述格栅。
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