[发明专利]制造半导体装置的方法和半导体装置有效
| 申请号： | 200880004747.7 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101647093A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 藤川一洋;原田真;并川靖生;增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括如下步骤：
(a)准备晶片，所述晶片的至少一个主面由碳化硅形成；以及
(b)通过加热所述晶片而对所述晶片进行热处理；
其中在对所述晶片进行热处理的步骤中，在含碳化硅蒸气的气氛 中加热所述晶片，所述碳化硅蒸气产生自不同于所述晶片的发生源； 在所述晶片的所述一个主面上形成有用于覆盖所述晶片的所述一个主 面的覆盖层的状态下加热所述晶片。
2.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中在对所述晶 片进行热处理的步骤中，将所述晶片在加热室中与升华性牺牲体一起 加热，其中所述升华性牺牲体的至少表面由碳化硅形成。
3.如权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其中所述升华性 牺牲体由碳化硅构成。
4.如权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其中所述升华性 牺牲体包括基体构件和覆盖所述基体构件表面的碳化硅层。
5.如权利要求2～4中任一项所述的制造半导体装置的方法，其 中在将所述晶片放置于所述升华性牺牲体上而使得所述晶片的另一个 主面与所述升华性牺牲体接触的状态下加热所述晶片，所述另一个主 面为位于所述一个主面的相反侧的主面。
6.如权利要求2～4中任一项所述的制造半导体装置的方法，其 中在所述升华性牺牲体与所述一个主面平行放置的状态下加热所述晶 片。
7.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中在对所述晶 片进行热处理的步骤中，在1600℃以上的温度范围内加热所述晶片。
8.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中所述覆盖层 主要由碳构成，剩余部分由杂质构成。
9.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中所述覆盖层 主要由硅构成，剩余部分由杂质构成。
10.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，所述方法还包 括在准备晶片的步骤之后且在对所述晶片进行热处理的步骤之前对所 述晶片实施离子注入的步骤；
其中在所述实施离子注入的步骤中，在所述晶片以300℃以上的 温度加热的状态下实施所述离子注入。
11.一种半导体装置，其通过权利要求1的制造半导体装置的方 法制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
