[发明专利]硅提纯设备

权利要求书

1.一种用于提纯硅载荷（s）的设备，包括：

坩锅（5），其包括由作为良好热导体的至少第一难熔材料形成的具有 平面上表面的至少一个基底（20），该基底有冷却管道（26）穿过，该冷 却管道的两个部分之间的最小距离为至少两毫米；

用于冷却基底的装置（26，28）；

保护元件（30），其由包括作为不良热导体的至少一种第二难熔材料的 非烧结粉末和碳粉末制成，碳粉末混合到保护元件的剩余部分，所述保护 元件用于插入坩埚与载荷之间，保护元件具有袋状表面（32）并且用于容 纳载荷（s）；和

用于通过载荷的电感加热基底的装置（23，24），其包括布置在基底之 中或之下的绕组（23）。

2.根据权利要求1所述的设备，其中基底（20）由管道（26）穿过， 冷却流体用于在所述管道的内部流动，所述管道由第二难熔材料、第三难 熔材料或作为良好电导体的材料制造。

3.根据权利要求1所述的设备，其中绕组（23）对应于中空管，冷却 流体用于在所述中空管的内部流动。

4.根据权利要求1所述的设备，其中进一步包括用于朝着载荷（s）的 自由表面被引导的等离子体焰炬（35）。

5.根据权利要求1所述的设备，其中坩锅（5）进一步包括在基底（20） 的周边的金属侧壁（10），设备包括用于冷却侧壁的装置（12，14）。

6.根据权利要求5所述的设备，其中侧壁（10）对应于包括腔（12） 的整体金属部分，冷却流体用于在所述腔中流动。

7.一种用于提纯硅载荷（s）的方法，包括以下步骤：

提供坩锅（5），其包括由作为良好热导体的至少第一难熔材料形成的 具有平面上表面的至少一个基底（20），该基底有冷却管道（26）穿过， 该冷却管道的两个部分之间的最小距离为至少两毫米；

在坩锅中布置由包括作为不良热导体的至少第二难熔材料的非烧结粉 末和碳粉末制成的保护元件（30），碳粉末混合到保护元件的剩余部分；

通过形成用于容纳载荷（s）的袋状表面（32）将粉末分布在坩锅（5） 中；

将载荷放置在保护元件上；

冷却基底；和

通过包括布置在基底之中或之下的绕组（23）的电感加热装置（23， 24）加热载荷。