[发明专利]数字照相机的基于传感器的γ校正无效
申请号: | 200880005312.4 | 申请日: | 2008-02-12 |
公开(公告)号: | CN101669204A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 大卫·W·加德纳 | 申请(专利权)人: | 菲力尔系统公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 朦;王艳春 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数字 照相机 基于 传感器 校正 | ||
1.一种在成像装置中调用响应的方法,在所述成像装置中设置有 传感器,所述方法包括:
将用户限定的时变电压施加至所述传感器的抗晕电极,从而限定 多个电荷累积周期;
将设置在所述传感器中的多个像素中的每个不同的像素均暴露于 多个光级中的一个不同光级;以及
在所述多个累积周期的每个周期中累积电荷,从而使所述成像装 置调用非线性响应,以修改由所述成像装置捕获的图像。
2.一种在成像装置中调用响应的方法,用于修改由所述成像装置 捕获的图像,所述方法包括:
在第一时间周期内将第一电压施加至设置在所述成像装置中的抗 晕漏极端子;
在第二时间周期内将第二电压施加至所述抗晕漏极端子;
在所述第一和第二时间周期内将第一像素暴露于第一光级;
在所述第一和第二时间周期内将第二像素暴露于第二光级,所述 第二光级大于所述第一光级;
累积在所述第一和第二时间周期内生成的电荷;以及
使所述成像装置根据所累积的电荷调用响应。
3.如权利要求2所述的方法,进一步包括:
在第三时间周期内将第三电压施加至所述抗晕漏极端子;
在所述第一、第二和第三时间周期内将第三像素暴露于第三光级, 所述第三光级周期大于所述第二光级;
累积在所述第三时间周期内生成的电荷;以及
使所述成像装置根据所累积的电荷来调用所述响应。
4.如权利要求3所述的方法,其中,所述第一时间周期长于所述 第二时间周期。
5.如权利要求4所述的方法,其中,所述第三时间周期长于所述 第二时间周期。
6.如权利要求3所述的方法,其中,所述第一时间周期短于所述 第二时间周期。
7.如权利要求6所述的方法,其中,所述第三时间周期短于所述 第二时间周期
8.如权利要求3所述的方法,其中,所述第一电压大于所述第二 电压。
9.如权利要求3所述的方法,其中,所述第二电压小于所述第三 电压。
10.如权利要求9所述的方法,其中,所述第二电压小于所述第 三电压。
11.如权利要求4所述的方法,其中,所述第一电压被选取为使 得在所述第一时间周期终止时阻止由所述第一像素产生的电荷溢出。
12.如权利要求11所述的方法,其中,所述第一电压被选取为使 得在所述第一时间周期终止时由所述第二和第三像素产生的电荷能够 溢出。
13.如权利要求12所述的方法,其中,所述第二电压被选取为使 得在所述第二时间周期终止时阻止由所述第一和第二像素产生的电荷 溢出。
14.如权利要求13所述的方法,其中,所述第二电压被选取为使 得在所述第二时间周期终止时由所述第三像素产生的电荷能够溢出。
15.如权利要求14所述的方法,其中,所述第三电压被选取为使 得在所述第三时间周期终止时阻止由所述第一、第二和第三像素产生 的电荷溢出。
16.如权利要求2所述的方法,其中,所述成像装置设置在数字 X射线系统中。
17.如权利要求2所述的方法,其中,所述成像装置设置在监控 系统中。
18.如权利要求2所述的方法,其中,所述成像装置设置在胶片 扫描系统中。
19.如权利要求2所述的方法,其中,所述成像装置设置在夜视 系统中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的