[发明专利]ALN的块体单晶及其生长方法有效
| 申请号： | 200880005464.4 | 申请日： | 2008-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101680115B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | R·T·邦德科夫;K·E·摩根;L·J·肖沃尔特;G·A·斯莱克 | 申请（专利权）人： | 晶体公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | aln 块体 及其 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.用于生长单晶氮化铝(AlN)的方法，该方法包括以下步骤：
(a)提供包含背衬板的保持器，保持器尺寸和形状经设定以在其中接纳AlN籽晶，且包括与背衬板接合的AlN基底；
(b)在籽晶和AlN基底之间插入Al箔；
(c)熔融Al箔以便用Al层均匀地湿润基底；
(d)将AlN籽晶放置在保持器内；和
(e)在适合于生长源于该籽晶的单晶AlN的条件下将铝和氮沉积到籽晶上。
2.根据权利要求1的方法，还包括调节背衬板以降低背板对于Al的渗透性的步骤。
3.根据权利要求1的方法，其中籽晶是具有至少20mm直径的晶片。
4.根据权利要求3的方法，其中生长成的单晶AlN限定出直径与籽晶的直径相同的晶锭。
5.用于生长单晶氮化铝(AlN)的方法，该方法包括以下步骤：
(a)提供尺寸和形状经设定以在其中接纳AlN籽晶的保持器，该保持器由基本上不可渗透的背衬板构成；
(b)将AlN籽晶放置在保持器内；
(c)在籽晶和背衬板之间插入Al箔；
(d)熔融Al箔以便用Al层均匀地湿润背衬板和AlN籽晶的背面；和
(e)在适合于生长源于该籽晶的单晶AlN的条件下将铝和氮沉积到籽晶上。
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