[发明专利]磁传感器模块以及活塞位置检测装置

权利要求书

1.一种磁传感器模块，包括：

半导体基板，其具有进行开关动作的集成电路；

磁阻元件，其设置在该半导体基板的一个面上，且在沿着该一个面的方向上具有感磁方向；

偏置磁场施加部件，其设置在所述半导体基板上，且配置在与所述一个面平行的面上，

所述偏置磁场施加部件，在沿着配置了该偏置磁场施加部件的所述面的方向上被磁化，在未施加外部磁场的状态下，该偏置磁场施加部件在沿着设置了所述磁阻元件的所述一个面的方向上施加偏置磁场。

2.根据权利要求1所述的磁传感器模块，其特征在于，

所述偏置磁场施加部件是膏状磁铁或薄膜磁铁。

3.根据权利要求2所述的磁传感器模块，其特征在于，

所述集成电路，将所述磁阻元件的输出电压与规定的阈值进行比较，根据比较的结果，输出表示所述磁阻元件的输出电压是大于所述规定的阈值的高电平状态的信号，或输出表示所述磁阻元件的输出电压是小于所述规定的阈值的低电平状态的信号。

4.根据权利要求3所述的磁传感器模块，其特征在于，

所述偏置磁场施加部件设置在作为所述半导体基板的一个面的相反侧的另一个面上。

5.一种活塞位置检测装置，包括：

缸筒，其由非磁性材料构成；

活塞，其至少一部分由磁性材料构成，以在所述缸筒的内周面上滑动的方式配置；

磁传感器，其配置在所述缸筒的外周面上，具有偏置磁场施加部件。

6.根据权利要求5所述的活塞位置检测装置，其特征在于，

所述磁传感器至少具备根据磁通密度的强度进行开关动作的集成电路，并且，所述偏置磁场施加部件是由薄膜构成的磁铁，配置在所述集成电路的上面、下面或内部。

7.根据权利要求5所述的活塞位置检测装置，其特征在于，

所述磁传感器具有半导体基板、以及设置在该半导体基板的一个面上且在沿着该一个面的方向上具有感磁方向的磁阻元件，所述偏置磁场施加部件是磁铁，该磁铁设置在所述半导体基板上、且配置在与所述一个面平行的面上、并且在沿着配置了该磁铁的所述面的方向上被磁化，在未施加外部磁场的状态下，该磁铁在沿着设置了所述磁阻元件的所述一个面的方向上施加偏置磁场。