[发明专利]NAND缺陷管理的设备、方法、系统

说明书

相关申请案交叉参考

本专利申请案主张2007年2月26日提出申请的第11/710,794号美国申请案的优 先权权益，所述申请案以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文所描述的各种实施例大体来说涉及非易失性存储器装置，包含结合非易失性 存储器装置的缺陷管理。

背景技术

可将存储器装置分类为两个宽广范围：易失性及非易失性。易失性存储器装置需 要电力来维持数据，而非易失性存储器能够在不存在电源的情况下维持数据。非易失 性存储器的实例是快闪存储器，其将信息存储在半导体装置中而不需要电力来维持芯 片中的所述信息。

可使用NOR或NAND装置来创建快闪存储器。NAND快闪可具有单级单元(SCL) 配置或多级单元(MLC)配置。与SLCNAND快闪相比，MLCNAND快闪允许更高 密度的存储器装置，因为其允许每一存储器单元中存储两个或两个以上数据位。

对存储器装置(例如NAND快闪存储器装置)执行的各种存储器操作可需要在同 一操作中对所述存储器装置的整个部分执行。举例来说，当对NAND快闪存储器执行 擦除操作时，所述擦除操作可需要对整个存储器块(有时称为擦除块)执行，作为同 一操作的一部分。将一个或一个以上擦除块分组在一起以形成擦除块群组(可将该群 组作为单个块对其进行操作)可加速存储器操作，且可减少管理及追踪包含存储器装 置的这些擦除块分组的操作所需的额外开销。然而，在涉及擦除块分组的某些实例中， 如果群组中的擦除块中的任一者在存储器的生命后期的某一时间被确定为有缺陷或失 效，那么包含有缺陷擦除块的整个分组的擦除块被标记为有缺陷块。包含擦除块分组 的这些有缺陷块在任何存储器操作中可不被使用此存储器的一个装置或一个以上装置 使用。此导致存储器阵列内的浪费的存储器，包含浪费与有缺陷擦除块分组在一起的 良好擦除块。

可执行用以将良好擦除块重新分组成仅包含无缺陷擦除块的可用群组的各种方 案且因此重新获得对这些擦除块的使用。然而，当测试并分配所述擦除块时，执行这 些方案可变得复杂，且在实际存储器操作期间与这些方案的管理相关联的额外开销可 需要大量的资源及处理时间，此可导致包含并入有这些方案中的一者或一者以上的存 储器阵列的装置的速度降低及其它性能特征的损失。因此，需要允许将存储器阵列中 的擦除块分组的经改进的设备、方法及系统，所述分组实施起来简单并减少管理对所 述存储器阵列执行的存储器操作所需的资源量及额外开销。

发明内容

附图说明

图1是根据本发明各种实施例的系统的框图；

图2是根据本发明各种实施例的存储器装置的功能框图；

图3是根据本发明各种实施例的映射表；

图4是根据本发明各种实施例的索引表；及

图5是图解说明根据本发明各种实施例的数个方法的流程图。

具体实施方式

本文描述各种设备、方法及系统，其包含用以在存储器装置(例如，快闪存储器 装置或NAND快闪存储器装置)中存在一个或一个以上有缺陷擦除块时执行对擦除块 的分组的简单方式。本文所描述的各种实施例的设备、方法及系统实现将多个擦除块 组合成一个或一个以上擦除块群组。在各种实施例中，这些分组仅包含无缺陷擦除块。 在各种实施例中，所有分组均具有相同大小且包含相同数目的擦除块。此类擦除块分 组最小化用于确定所述擦除块将如何被分组在一起的方案的复杂性同时最小化对使用 本文所描述的各种实施例的一者或一者以上的存储器阵列执行存储器操作所需的额外 开销。

图1是根据本发明各种实施例的系统的框图。图1包含根据本发明各种实施例的 系统100的框图。