[发明专利]制备导电薄膜的方法和由该方法制得的制品

权利要求书

1.一种用于制造自由立膜的方法，包括：

(a)在基底上提供纳米棒阵列，

(b)用牺牲层渗透该阵列，牺牲层是选自：氟硅氧烷、可成像硅胶、二 氧化硅、和蜡；

(c)用基体层渗透该阵列，由此产生渗透的阵列；

任选的，(d)除去牺牲层，保留基体层；和

(e)将渗透的阵列从基底平面上移除，以形成自由立膜，其中基体层具 有正反相对的表面，纳米管定向排列，穿过基体层，并从基体层的一个或 正反两个相对的表面上伸出至少1微米的距离。

2.根据权利要求1所述的方法，该方法进一步包括在步骤(d)之前、 期间、或之后，用第二基体层渗透阵列。

3.根据权利要求1所述的方法，其中纳米棒从一个或正反两个相对的 表面伸出1微米-0.8毫米的距离。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该阵列的密度为0.1体积％-50体 积％。

5.根据权利要求1所述的方法，其中纳米棒的平均高度为5-500微米。

6.根据权利要求1所述的方法，其中纳米棒是导热的和电绝缘的。

7.根据权利要求1所述的方法，其中纳米棒是导电和导热的。

8.根据权利要求1所述的方法，其中纳米棒是氮化硼纳米管。

9.根据权利要求1所述的方法，其中纳米棒选自多层碳纳米管和单层 碳纳米管。

10.根据权利要求9所述的方法，其中纳米棒阵列是通过等离子体增强 的化学汽相沉积生成方法提供的。

11..根据权利要求10所述的方法，其中纳米管的阵列在步骤(a)之前经 受了石墨化步骤。

12.根据权利要求1所述的方法，其中牺牲层是蜡。

13.根据权利要求12所述的方法，其中当步骤(d)存在时，牺牲层通过 加热除去。

14.根据权利要求1所述的方法，其中牺牲层是二氧化硅，且通过从溶 胶凝胶溶液中涂覆一层二氧化硅来形成牺牲层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中当步骤(d)存在时，步骤(d)和 (e)通过暴露于HF溶液中来实施。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括步骤(f)：在步骤(e)之后 清洗步骤(f)。

17.根据权利要求1所述的方法，其中基体包括热固性聚合物。

18.根据权利要求17所述的方法，其中热固性聚合物选自：环氧树 脂、氰酸铵树脂、双马来酰亚胺树脂、酚醛树脂、聚酯树脂、硅酮弹性 体、聚氨酯弹性体、丙烯酸弹性体、和它们的组合。

19.根据权利要求17所述的方法，其中热固性聚合物包括含下列物质 的组合物：

A)每个分子中平均含有至少两个脂肪族不饱和有机基的聚硅氧烷，

B)平均每个分子中含有至少两个与氢原子相连的硅的交联剂，和

C)氢化硅烷化催化剂。

20.根据权利要求1所述的方法，其中基体包括热塑性聚合物。

21.根据权利要求20所述的方法，其中热塑性聚合物选自：聚酰胺、聚 酰亚胺、聚苯撑、聚碳酸酯、聚缩醛、聚丙烯、聚乙二醇、聚氧化甲 烯、硅酮酰胺共聚物、硅酮聚醚、硅酮聚醚酰亚胺共聚物、硅酮氨基甲酸 乙酯共聚物、硅酮脲、和它们的组合。

22.根据权利要求18到21中任一所述的方法，其中基体进一步包括填 料。

23.根据权利要求22所述的方法，其中填料是导热的。

24.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(c)通过选自以下的方法来 实施：旋涂、浸涂、喷涂、和溶剂浇注。