[发明专利]用于在基体上形成膜的方法

权利要求书

1.一种用于在基体上形成膜的方法，所述方法包括：

在加热室中加热固体有机硅烷源，以形成气态前体；

将所述气态前体转移到容纳有所述基体的沉积室中；并且

使用能量源使所述气态前体反应，以在所述基体上形成所述膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述能量源为电加热、UV辐射、IR辐射、微波辐射、X-射线辐射、电子束、RF或等离子体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述能量源为等离子体。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述膜通过以下各项在所述基体上形成：等离子增强化学气相沉积(PECVD)、射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)、电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECVD)、感应耦合等离子增强化学气相沉积(ICP-PECVD)、等离子束源等离子增强化学气相沉积(PBS-PECVD)，或它们的组合。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中将所述加热室加热至在50至700℃的范围内的温度。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中将所述加热室加热至在475至500℃的范围内的温度。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述基体处于25至500℃范围内的温度。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中以连续流将所述气态前体转移到所述沉积室中。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中以脉冲流将所述气态前体转移到所述沉积室中。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述沉积室在反应器内部，而所述加热室在所述反应器外部。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述沉积室和所述加热室都在反应器内部。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中所述固体有机硅烷源是硅基聚合物。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述硅基聚合物包含Si-C键，所述Si-C键在所述加热室中加热的过程中是热力学稳定的。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中所述硅基聚合物具有包含至少一个硅原子和两个以上碳原子的单体单元。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述单体单元还包含N、O、F、B、P或它们的组合。

16.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中所述固体有机硅烷源为聚二甲基硅烷、聚碳甲基硅烷、三苯基硅烷，或九甲基三硅氮烷。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的方法，其中所述固体有机硅烷源包含人造比的同位素。

18.根据权利要求1至17中任一项所述的方法，其中所述膜包含：碳化硅(SiC)、碳氟化硅(SiCF)、碳氮化硅(SiCN)、氧碳化硅(SiOC)、氧碳氮化硅(SiOCN)、碳硼化硅(SiCB)、碳氮硼化硅(SiCNB)、碳磷化硅(SiCP)，或它们的组合。

19.根据权利要求1至18中任一项所述的方法，所述方法还包括在所述反应步骤之前，将所述气态前体与反应气体混合。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述反应气体为CF₄、C₄F₈、CH₂F₂、NF₃、C₂F₆、C₃F₈、CHF₃、C₂F₄、C₃F₆，或它们的组合。

21.根据权利要求19所述的方法，其中所述反应气体为N₂、NH₃或NCl₃。

22.根据权利要求19所述的方法，其中所述反应气体为O₂、O₃、CO或CO₂。