[发明专利]用于磁共振的双谐振高磁场射频表面线圈

权利要求书

1.一种大体上平面形的射频线圈，包括：

具有圆形形状的单个环形导体，其被布置为大体上与所述大体上平面 形的射频线圈的线圈平面平行，并被配置为支持：（i）均匀电流分布，其产 生指向所述线圈平面外的、在第一磁共振频率处的第一B₁场，以及（ii） 正弦电流分布，其产生平行于所述线圈平面的、在第二磁共振频率处的第 二B₁场，以及

大体上平面形的射频屏蔽体，其被布置为与所述环形导体平行。

2.如权利要求1所述的射频线圈，其中，所述第二磁共振频率高于所 述第一磁共振频率。

3.如权利要求1所述的射频线圈，其中，所述大体上平面形的射频屏 蔽体是圆盘形和环形中的一种。

4.如权利要求1所述的射频线圈，还包括：

横切的环形射频屏蔽部，其横切于所述大体上平面形的射频屏蔽体而 延伸并且至少围绕所述环形导体的外圆周。

5.一种磁共振扫描器，包含至少一个如权利要求1所述的大体上平面 形的射频线圈。

6.一种大体上平面形的射频线圈，包括：

具有圆形形状的单个环形导体，其被布置为大体上与所述大体上平面 形的射频线圈的线圈平面平行，并且被配置为支持：（i）均匀电流分布，其 产生指向所述线圈平面外的、在第一磁共振频率处的第一B₁场，以及（ii） 正弦电流分布，其产生平行于所述线圈平面的、在第二磁共振频率处的第 二B₁场，并且其中所述第二磁共振频率高于所述第一磁共振频率。

7.一种射频线圈，包括：

具有圆形形状的环形导体，被配置为支持：（i）均匀电流分布，其产生 指向所述环形导体的平面外的、在第一磁共振频率处的第一B₁场，以及（ii） 正弦电流分布，其产生平行于所述环形导体的平面的、在第二磁共振频率 处的第二B₁场；

其中，所述第二磁共振频率高于所述第一磁共振频率。

8.如权利要求7所述的射频线圈，其中，所述第一磁共振频率对应于 在选定的静态磁场中的第一核素的磁共振，而所述第二磁共振频率对应于 在所述选定的静态磁场中的第二核素的磁共振。

9.如权利要求8所述的射频线圈，其中，所述第二磁共振频率对应于 在所述选定的静态磁场中的¹H磁共振。

10.如权利要求9所述的射频线圈，其中，所述第一磁共振频率对应 于在所述选定的静态磁场中的从由¹⁹F、¹³C、²³Na和³¹P组成的组中选出的 核素的磁共振。

11.如权利要求8所述的射频线圈，其中，所述选定的静态磁场大于3 特斯拉。

12.如权利要求7所述的射频线圈，其中，所述环形导体包括：

具有电容的一个或多个元件，其对调谐所述环形导体以支持用于产生 指向所述环形导体的平面外的、在所述第一磁共振频率处的第一B₁场的均 匀电流分布有效；以及

具有电感的一个或多个元件，其对调谐所述环形导体以支持用于产生 平行于所述环形导体的平面的、在所述第二磁共振频率处的第二B₁场的正 弦电流分布有效。

13.如权利要求7所述的射频线圈，其中，所述环形导体具有一宽度 和圆环直径，并借助于具有介电宽度和介电常数的介电层来与接地面分离， 并且还包括一个或多个电容性元件，其中，所述宽度、圆环直径、介电宽 度、介电常数和电容性元件对调谐所述环形导体以支持在选定的相应第一 和第二磁共振频率处的所述均匀电流分布和所述正弦电流分布有效。

14.如权利要求7所述的射频线圈，其中，所述环形导体包括环形微 带传输线。