[发明专利]等离子体处理装置的清洗方法、执行该清洗方法的等离子体处理装置以及储存执行该清洗方法的程序的存储介质无效
申请号: | 200880006209.1 | 申请日: | 2008-02-18 |
公开(公告)号: | CN101622692A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 吹上纪明;河本慎二;高场裕之;石桥清隆 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/3065;C23C16/44 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 清洗 方法 执行 以及 储存 程序 存储 介质 | ||
1.一种等离子体处理装置的清洗方法,在能够抽真空的处理容器内对被处理体使用等离子体实施等离子体处理,具有:
第一清洗工序,在向所述处理容器内供给清洗气体,并产生等离子体,将所述处理容器内维持为第一压力而进行清洗;
第二清洗工序,在向所述处理容器内供给清洗气体,并产生等离子体,将所述处理容器内维持为比所述第一压力高的第二压力而进行清洗,
根据累计膜厚量及每单位时间的清洗膜厚量求出上述第一及第二清洗工序的各处理时间,利用时间管理来求出上述第一清洗工序和上述第二清洗工序之间的切换时机,和/或基于来自在所述处理容器内产生的等离子体的发光量来求出所述第一清洗工序与所述第二清洗工序之间的切换的时机。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的清洗方法,其中,在进行了所述第一清洗工序后,进行所述第二清洗工序。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的清洗方法,其中,在进行了所述第二清洗工序后,进行所述第一清洗工序。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的清洗方法,其中,所述第一压力为10mTorr-小于750mTorr的范围内,所述第二压力为750mTorr-5Torr的范围内。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的清洗方法,其中,对所述处理容器的壁面及/或放置所述被处理体的载置台进行加热。
6.一种等离子体处理装置,具备:
能够抽真空的处理容器;
载置台,其为了载置被处理体而设于所述处理容器内;
气体供给机构,其用于向所述处理容器内供给气体;
等离子体形成机构,其用于在所述处理容器内产生等离子体;及
控制机构,其按照执行权利要求1至5中任意一项所述的清洗方法的方式来进行控制。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置,其中,在所述载置台及/或所述处理容器的壁面中设有加热机构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造