[发明专利]半导体器件制造方法以及半导体器件制造设备

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

将绝缘层叠加在包括元件区的半导体基板上的绝缘层步骤；

在所述绝缘层中形成凹槽的凹槽步骤；

将金属层嵌入到所述凹槽中的金属层步骤；

将所述绝缘层的表面和所述金属层的表面平坦化以使两者彼此平齐的平 坦化步骤；以及

在所述平坦化步骤之后，在所述绝缘层的所述表面和所述金属层的所述表 面上形成至少包含锆元素和氮元素的金属保护层的金属保护层步骤。

2.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中所述金属保护层步骤包 括使用含锆气体和含氮气体形成所述金属保护层。

3.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其中所述金属保护层步骤包 括激发所述含氮气体。

4.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其中

所述金属保护层步骤在反应室中进行；并且

所述金属保护层步骤包括利用所述反应室外部的微波来激发所述含氮气 体，并将所述受激发的含氮气体和所述含锆气体供应到所述反应室中。

5.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其中所述含锆气体为 Zr(BH₄)₄，并且所述含氮气体为氮气。

6.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中所述金属保护层步骤包 括通过CVD工艺形成所述金属保护层。

7.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中所述金属保护层步骤包 括通过原子层沉积工艺形成所述金属保护层。

8.如权利要求1-7中任意一项所述的半导体器件制造方法，其中所述金 属保护层步骤包括通过将被加热的所述半导体基板加热到低于260℃来形成所 述金属保护层。

9.一种半导体器件制造方法，包括：

将绝缘层叠加在包括元件区的半导体基板上的绝缘层步骤；

在所述绝缘层中形成凹槽的凹槽步骤；

将金属层嵌入到所述凹槽中的金属层步骤；

将所述绝缘层的表面和所述金属层的表面平坦化以使两者彼此平齐的平 坦化步骤；以及

在所述平坦化步骤之后，使用Zr(BH₄)₄气体和受激发的氮气，在所述绝缘 层的所述表面和所述金属层的所述表面上形成至少包含锆元素和氮元素的金 属保护层的金属保护层步骤。

10.一种半导体器件的制造设备，包括：

具有反应室的室主体；

保持半导体基板并设置在所述反应室中的台；

将含锆气体供应到所述反应室中的第一供应装置；以及

将含氮气体供应到所述反应室中的第二供应装置；

其中，所述含锆气体和所述含氮气体用于在所述半导体基板的表面上形成 至少包含锆元素和氮元素的金属保护层。

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造设备，还包括：

驱动所述第一供应装置和所述第二供应装置，将所述含锆气体和所述含氮 气体供应到所述反应室的控制装置；

其中所述控制装置用所述第二供应装置激发所述含氮气体。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造设备，其中所述控制装置用所 述第二供应装置在所述反应室外部激发所述含氮气体。

13.如权利要求11所述的半导体器件的制造设备，其中所述控制装置驱动 所述第一供应装置和所述第二供应装置，将所述含锆气体和所述含氮气体供应 到所述反应室。

14.如权利要求11所述的半导体器件的制造设备，其中所述控制装置驱动 所述第一供应装置和所述第二供应装置，将所述含锆气体和所述含氮气体交替 地供应到所述反应室，以将含锆气体吸收到所述半导体基板的表面，并且利用 含氮气体将含锆气体重组到所述金属保护层中。