[发明专利]包含表面活性剂的能稀释的化学机械抛光组合物

权利要求书

1.一种使用抛光组合物的方法，该方法包括：

(i)提供包含以下物质的抛光组合物：

(a)研磨剂，其中该研磨剂以该抛光组合物的18重量％或更高的量 存在，

(b)含水介质，

(c)表面活性剂，其中该表面活性剂包含磺酸根基团且以高于其临界 胶束浓度的量存在，及

(d)疏水性表面活性化合物，和

(ii)稀释该抛光组合物，

其中在使基板与该抛光组合物接触之前稀释该抛光组合物使表面活性 剂的量低于其临界胶束浓度。

2.权利要求1的方法，其中在稀释该抛光组合物之前，该研磨剂以该抛 光组合物的18重量％至30重量％的量存在。

3.权利要求1的方法，其中在稀释该抛光组合物之前，该研磨剂在该抛 光组合物中是胶体稳定的。

4.权利要求1的方法，其中该抛光组合物不含络合剂。

5.权利要求1的方法，其中该疏水性表面活性化合物选自唑类化合物及 满足式H₂N-CR₁R₂COOH的氨基酸，其中R₁及R₂为氢、C₁-C₃₀烷基或C₆-C₃₀芳基，其中所述芳基任选地包含一个或多个杂原子N、S、O、或其组合， R₁及R₂含有的碳原子总数不少于1，且R₁及R₂不含有任何带电基团。

6.权利要求1的方法，其中该疏水性表面活性化合物选自辛醇及log K_ow大于0的化合物。

7.权利要求1的方法，该方法进一步包括使该基板与该抛光组合物接 触，同时该表面活性剂以低于其临界胶束浓度的量存在于该抛光组合物中， 以磨除该基板的一部分并由此抛光该基板。

8.权利要求7的方法，其中该基板的该部分包含钽。

9.权利要求7的方法，其中该抛光组合物进一步包含氧化剂，并且其中 该氧化剂浓度的降低使该基板的第二部分的移除速率减小。

10.权利要求9的方法，其中该基板的该第二部分包含铜。

11.权利要求7的方法，该方法进一步包括：

(i)提供包含以下物质的第二抛光组合物：

(a)研磨剂，其中该研磨剂以该抛光组合物的18重量％或更高的量 存在，及

(b)含水介质，及

(ii)使该基板与该第二抛光组合物接触以磨除该基板的第二部分并由此 抛光该基板。

12.权利要求11的方法，其中该基板的该第二部分包含铜。