[发明专利]无定形碳膜的形成方法、无定形碳膜、多层抗蚀剂膜、半导体装置的制造方法和计算机可读取的存储介质

权利要求书

1.一种无定形碳膜的形成方法，该方法使用等离子体CVD装置在基 板上形成无定形碳膜，其具有：

在处理容器内配置基板的步骤；

向上述处理容器内供给含有一氧化碳气体的处理气体的步骤；及

生成等离子体，利用该等离子体分解上述一氧化碳气体，在基板上堆 积无定形碳的步骤，

具备使用碳制作的上部电极。

2.一种无定形碳膜的形成方法，该方法使用等离子体CVD装置在基 板上形成无定形碳膜，其具有：

在处理容器内配置基板的步骤；

向上述处理容器内供给含有一氧化碳气体的处理气体的步骤；及

生成等离子体，利用该等离子体分解上述一氧化碳气体，在基板上堆 积无定形碳的步骤，

在上述处理容器内设置上部电极和下部电极，

在配置上述基板的步骤中，把上述基板配置在上述下部电极上，

在堆积上述无定形碳的步骤中，至少对上述上部电极施加高频电力。

3.根据权利要求2所述的无定形碳膜的形成方法，其中，

在堆积上述无定形碳的步骤中，对上述上部电极施加等离子体形成用 高频电力，对上述下部电极施加高频偏置电力。

4.根据权利要求1或2所述的无定形碳膜的形成方法，其中，上述处 理气体还含有惰性气体。

5.根据权利要求4所述的无定形碳膜的形成方法，其中，上述惰性气 体是He气体。

6.根据权利要求1或2所述的无定形碳膜的形成方法，其中，在堆积 上述无定形碳的步骤中，上述基板的温度为350℃以下。

7.一种半导体装置的制造方法，其具有：

在基板上形成成为蚀刻对象的膜的步骤；

在成为上述蚀刻对象的膜上，采用权利要求1至权利要求6中任意一 项所述的方法，形成无定形碳膜的步骤；

对上述无定形碳膜进行蚀刻，形成蚀刻掩模的步骤；及

使用上述蚀刻掩模对成为上述蚀刻对象的膜进行蚀刻，形成规定的构 造的步骤。

8.一种半导体装置的制造方法，其具有：

在基板上形成成为蚀刻对象的膜的步骤；

在成为上述蚀刻对象的膜上，采用权利要求1至权利要求6中任意一 项所述的方法，形成无定形碳膜的步骤；

在上述无定形碳膜上形成由含有硅的材料构成的含有硅的膜的步骤；

在上述含有硅的膜上形成光抗蚀剂膜的步骤；

对上述光抗蚀剂膜实施图案化的步骤；

使用上述被图案化的光抗蚀剂膜，对上述含有硅的膜实施图案蚀刻的 步骤；

使用上述被图案蚀刻后的含有硅的膜对上述无定形碳膜进行蚀刻，形 成蚀刻掩模的步骤；及

使用上述蚀刻掩模对成为上述蚀刻对象的膜进行蚀刻的步骤。