[发明专利]用于形成气态有机硅化合物的方法和设备

权利要求书

1.一种用于由固体有机硅烷化合物制备具有所需摩尔比的气态有机硅化合物的混合物的方法，所述方法包括在保持预定压力的同时将所述固体有机硅烷热解的步骤，选择所述预定的压力以提供所需摩尔比的气态有机硅化合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述所需摩尔比表示具有不同硅原子数目的气态有机硅化合物之间的摩尔比。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述固体有机硅烷化合物包含线型或支化聚硅链，其中每个硅被一个或多个氢原子、C₁-C₆烷基、苯基或-NH₃基取代。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述固体有机硅烷化合物是聚二甲基硅烷(PDMS)、聚碳甲基硅烷(PCMS)、三苯基硅烷或九甲基三硅氮烷，优选PDMS或PCMS。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述PDMS具有1,000至1,700g/mol的分子量。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述混合物中的每种气态有机硅化合物独立地选自气态硅烷、气态聚硅烷或气态聚碳硅烷。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述混合物中的每种气态有机硅化合物含1至5个硅原子。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述气态有机硅化合物混合物包含下式的化合物：

Si(CH₃)_n(H)_m-[(CH₂)-Si(CH₃)_p(H)_q]_x-Si(CH₃)_n′(H)_m′

其中

n、m、n′和m′独立地表示0至3的整数，条件是n+m＝3且n′+m′＝3，

p和q独立地表示0至2的整数，条件是对于每个硅原子，p+q＝2，并且

x是0至3的整数。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述热解在100至650℃的温度进行。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述热解在350至420℃的温度进行。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述压力保持在100至900psi。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述压力保持在100至250psi，并且所述气态有机硅化合物的混合物包含至少50摩尔％的含3至5个硅原子的气态有机硅化合物。

13.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述压力保持在100至200psi，并且所述气态有机硅化合物的混合物包含至少50摩尔％的含3至5个硅原子的气态有机硅化合物。

14.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述压力保持在600至900psi，并且所述气态有机硅化合物的混合物包含至少50摩尔％的含1或2个硅原子的有机硅化合物。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中将所述气态有机硅化合物的混合物进一步加工。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，其中在加热之前用惰性气体对所述容器进行吹扫。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述惰性气体是氩气或氦气。

18.一种用于制备气态有机硅化合物的混合物的方法，所述气态有机硅化合物的混合物包含至少50摩尔％的含3至5个硅原子的气态有机硅化合物，所述方法包括在保持的100至250psi的压力下，于350至500℃的温度加热固体有机硅烷化合物。

19.一种用于制备气态有机硅化合物的混合物的方法，所述气态有机硅化合物的混合物包含至少50摩尔％的含1或2个硅原子的气态有机硅化合物，所述方法包括在保持的600至900psi的压力下，于350至500℃的温度加热固体有机硅烷化合物。