[发明专利]太阳电池模块及太阳电池模块的制造方法无效
申请号: | 200880006499.X | 申请日: | 2008-02-26 |
公开(公告)号: | CN101657909A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 冈庭香;清水健博;森川浩昭 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社;三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 模块 制造 方法 | ||
1、一种太阳电池模块,通过层压含有多个透光层的构件而成,并响应于入射光而发电,其特征在于,
在从所述入射光的入射侧起,设所述多个透光层为第1层、第2层、…、第m层,而且设各层的折射率分别为第1折射率n1、第2折射率n2、…、第m折射率nm时,n1≤n2≤…≤nm成立,此外,这些透光层中的至少一层是所述入射光的入射侧成为凹凸形状的聚光膜,其折射率为1.6~2.4。
2、根据权利要求1所述的太阳电池模块,其特征在于,
在所述入射光的波长为400~1200nm时,如下式(3)所表示的所述聚光膜的标准化吸光度a的值为0.1以下。
其中,T为透过率,L为薄膜平均厚度(μm)。
3、根据权利要求1所述的太阳电池模块,其特征在于,
在将所述入射光变换为电力的太阳电池单元上且在所述透光膜与所述聚光膜之间,形成有与所述透光层中的一层相当的反射防止膜,并使所述聚光膜的折射率比所述太阳电池单元上的所述反射防止膜的折射率低。
4、根据权利要求1所述的太阳电池模块,其特征在于,
通过调整所述聚光膜的折射率与所述反射防止膜的折射率来提高所述聚光膜产生的对太阳电池单元的光导入效率。
5、根据权利要求1所述的太阳电池模块,其特征在于,
在所述聚光膜上放置所述入射光的入射侧成为凹凸形状的型膜,并使型膜的折射率比所述聚光膜的折射率小。
6、根据权利要求1所述的太阳电池模块,其特征在于,
所述聚光膜由含有钛四醇盐(titanium tetraalkoxide)的有机-无机混合组成物构成。
7、根据权利要求1所述的太阳电池模块,其特征在于,
作为将所述入射光变换为电力的太阳电池单元,使用以如下方式形成的太阳电池单元:即对利用机械加工进行切片而形成的具有粗糙表面的硅基板,进行主要为了将切片时受到损伤的表面部除去的蚀刻后,不积极地进行形成凹凸的处理。
8、根据权利要求1所述的太阳电池模块,其特征在于,
作为将所述入射光变换为电力的太阳电池单元,利用如下方式形成的太阳电池单元:即对利用机械加工进行切片而形成的具有粗糙表面的硅基板,使用含有0.25mol/l的氢氧化碱的水溶液进行主要为了将切片时受到损伤的表面部除去的蚀刻后,不积极地进行形成凹凸的处理。
9、根据权利要求3所述的太阳电池模块,其特征在于,
作为所述太阳电池单元的所述反射防止膜,使用由Si、N及H构成的折射率为1.8~2.7范围的氮化硅膜。
10、根据权利要求9所述的太阳电池模块,其特征在于,
作为所述反射防止膜使用的所述氮化硅膜,利用以SiH4和NH3的混合气体为原料的等离子体CVD法,在所述混合气体流量比NH3/SiH4为0.05~1.0、反应室的压力为0.1~2Torr、成膜时的温度为300~550℃、用于等离子体放电的频率为100KHZ以上的条件下形成。
11、一种太阳电池模块的制造方法,太阳电池模块通过层压多个含有透光层的构件而成,并响应于入射光而发电,所述制造方法的特征在于,
具有:
单元形成工序,其中在硅基板上至少形成防止入射光的反射的反射防止膜、正面电极及背面电极,从而形成太阳电池单元;
模块形成工序,其中在由所述单元形成工序形成的太阳电池单元的所述反射防止膜上形成将所述入射光聚光的聚光膜,而且通过密封材密封所述太阳电池单元,而形成太阳电池模块,
在所述模块形成工序中,使所述聚光膜的折射率比所述反射防止膜的折射率小,且比所述密封材的折射率大,从而形成所述太阳电池模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的