[发明专利]波长可调半导体激光元件及其控制装置、控制方法

权利要求书

1.一种波长可调半导体激光元件，具有振荡激光的活性区域、和移 位振荡的激光的波长的波长可调区域，

与所述波长可调区域相邻地设置热补偿区域，对所述热补偿区域投入 功率，对所述热补偿区域投入的功率与对所述波长可调区域投入的功率之 和始终恒定，并且投入所述热补偿区域的功率的大部分变换为热，

所述热补偿区域由具有第1台面构造的非活性波导路径构成；

通过向所述非活性波导路径注入电流或施加电压，将投入的功率的大 部分变换为热；

所述活性区域和所述波长可调区域由具有与第1台面构造不同的第2 台面构造的波导路径构成；以及

第1台面构造和第2台面构造之间的间隔等于或大于3μm，且等于或 小于所述波长可调半导体激光元件的基板的厚度。

2.一种波长可调半导体激光元件，具有振荡激光的活性区域、和移 位振荡的激光的波长的多个波长可调区域，

对应于所述多个波长可调区域的每个，与所述多个波长可调区域的每 个相邻地设置热补偿区域，对所述热补偿区域投入功率，对所述热补偿区 域投入的功率与对所述波长可调区域投入的功率之和始终恒定，并且投入 所述热补偿区域的功率的大部分变换为热；

所述热补偿区域的每个由具有第1台面构造的非活性波导路径构成；

通过向所述非活性波导路径注入电流或施加电压，将投入的功率的大 部分变换为热；

所述活性区域和所述多个波长可调区域由具有与第1台面构造不同的 第2台面构造的波导路径构成；以及

第1台面构造和第2台面构造之间的间隔等于或大于3μm，且等于或 小于所述波长可调半导体激光元件的基板的厚度。

3.一种波长可调半导体激光元件，具有振荡激光的活性区域、移位 振荡的激光的波长的第1波长可调区域、移位振荡的激光的波长的第2波 长可调区域、和调整激光相位的相位调整区域，

与所述第1波长可调区域相邻地设置第1热补偿区域，对所述第1热 补偿区域投入功率，对所述第1热补偿区域投入的功率与对所述第1波长 可调区域投入的功率之和始终恒定，并且投入所述第1热补偿区域的功率 的大部分变换为热，

与所述第2波长可调区域相邻地设置第2热补偿区域，对所述第2热 补偿区域投入功率，对所述第2热补偿区域投入的功率与对所述第2波长 可调区域投入的功率之和始终恒定，并且投入所述第2热补偿区域的功率 的大部分变换为热，

与所述相位调整区域相邻地设置第3热补偿区域，对所述第3热补偿 区域投入功率，对所述第3热补偿区域投入的功率与对所述相位调整区域 投入的功率之和始终恒定，并且投入所述第3热补偿区域的功率的大部分 变换为热；

所述第1、第2和第3热补偿区域由具有第1台面构造的非活性波导 路径构成；

通过向所述非活性波导路径注入电流或施加电压，将投入的功率的大 部分变换为热；

所述活性区域、所述第1和第2波长可调区域、以及所述相位调整区 域由具有与第1台面构造不同的第2台面构造的波导路径构成；以及

第1台面构造和第2台面构造之间的间隔等于或大于3μm，且等于或 小于所述波长可调半导体激光元件的基板的厚度。

4.根据权利要求1到3任一个所述的波长可调半导体激光元件，还 包括：

由在所述第1台面构造的两侧面上形成的掺杂钌绝缘化的半导体绝缘 层。

5.根据权利要求1到3任一个所述的波长可调半导体激光元件，还 包括：

由在所述第2台面构造的两侧面上形成的掺杂钌绝缘化的半导体绝缘 层。

6.根据权利要求1-3之一所述的波长可调半导体激光元件，其特征在 于：

所述波长可调区域的一部分或全部由形成有分布反射型衍射光栅的 非活性波导路径构成，或由成为相位调整区域的非活性波导路径构成。