[发明专利]光电变换装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电变换装置，具备：

被层叠的至少二层光电变换层、和

介于所述二层光电变换层之间且对该二层光电变换层进行电连接 及光学连接的中间层，

所述光电变换装置中，在所述中间层的表面上具有等离子体抗性 保护层，

所述等离子体抗性保护层由SiOC构成，

在SiOC中，氧组成为20～60％、碳组成为30～5％。

2.如权利要求1所述的光电变换装置，所述等离子体抗性保护层 的膜厚为2nm以上且30nm以下。

3.一种光电变换装置的制造方法，所述光电变换装置具备：

被层叠的至少二层光电变换层、和

介于所述二层光电变换层之间且对该二层光电变换层进行电连接 及光学连接的中间层，

所述光电变换装置的制造方法中，通过Ar/O₂气体组成的溅射而 在所述中间层的表面上形成等离子体抗性保护层，

所述等离子体抗性保护层由SiOC构成，

在SiOC中，氧组成为20～60％、碳组成为30～5％。

4.一种光电变换装置，具备：

被层叠的至少二层光电变换层、和

介于所述二层光电变换层之间且对该二层光电变换层进行电连接 及光学连接的中间层，

所述光电变换装置中，所述中间层具有透明导电膜/透明膜/透明导 电膜共计三层的层叠结构，

所述透明膜是由SiOC构成的层，

在SiOC中，氧组成为20～60％、碳组成为30～5％。

5.如权利要求4所述的光电变换装置，所述透明导电膜由包含 ZnO的材料构成。

6.如权利要求4或5所述的光电变换装置，所述透明导电膜的膜 厚为5nm以上且100nm以下。

7.如权利要求4所述的光电变换装置，所述透明膜的膜厚为2nm 以上且30nm以下。

8.一种光电变换装置的制造方法，所述光电变换装置具备：

被层叠的至少二层光电变换层、和

介于所述二层光电变换层之间且对该二层光电变换层进行电连接 及光学连接的中间层，

所述光电变换装置的制造方法中，所述中间层具有透明导电膜/透 明膜/透明导电膜共计三层的层叠结构，通过Ar/O₂气体组成的溅射来 形成所述透明膜，

所述透明膜是由SiOC构成的层，

在SiOC中，氧组成为20～60％、碳组成为30～5％。

9.一种光电变换装置，具备：

被层叠的至少二层光电变换层、和

介于所述二层光电变换层之间且对该二层光电变换层进行电连接 及光学连接的中间层，

所述光电变换装置中，所述中间层具有透明导电膜/透明膜/透明导 电膜/透明膜/透明导电膜共计五层的层叠结构，

所述透明膜是由SiOC构成的层，

在SiOC中，氧组成为20～60％、碳组成为30～5％。

10.如权利要求9所述的光电变换装置，所述透明导电膜由包含 ZnO的材料构成。

11.如权利要求9或10所述的光电变换装置，所述透明导电膜的 膜厚为5nm以上且100nm以下。

12.如权利要求9所述的光电变换装置，所述透明膜的膜厚为2nm 以上且30nm以下。