[发明专利]在金属硅化物微晶体上形成纳米结构的方法和得到的结构和器件

权利要求书

1.一种用于形成纳米结构的方法，包括：

形成包括金属层(100)和硅层(104)的多层结构(106)；

使所述多层结构(106)经受热处理以形成金属硅化物微晶体(110)；并且

在所述金属硅化物微晶体(110)上生长所述纳米结构(114)。

2.根据权利要求1的方法，其中，每个纳米结构(114)包括下述之一：

量子点；以及

纳米线。

3.根据权利要求1的方法，

其中，使所述多层结构(106)经受热处理以形成金属硅化物微晶体(110)包括形成包括所述金属硅化物微晶体(110)的第一电极(108)；并且

还包括在所述纳米结构(114)之上与所述纳米结构(114)的至少一部分电接触地形成第二电极(113)。

4.根据权利要求1的方法，还包括：

在生长所述纳米结构(114，138)之前，形成第一层地址线(116，142-150)，所述地址线(116，142-150)的每一个包括金属硅化物微晶体(124，136)；并且

在所述第一层地址线(116，142-150)之上形成第二层地址线(151-155)，以形成若干结(160)，所述结(160)的至少一部分包括所述纳米结构(114，138)的一个或多个。

5.根据权利要求1的方法，

还包括：在使所述多层结构(106)经受所述热处理之前，形成若干地址线(114)，每个所述地址线包括所述金属层(100)的一部分和所述硅层(104)的一部分；并且

其中，使所述多层结构(106)经受热处理以形成金属硅化物微晶体(124)包括：将所述地址线的所选择的区域暴露于能量束(129)。

6.根据权利要求1的方法，

其中，使所述多层结构(106)经受热处理以形成金属硅化物微晶体(124)包括：形成包括所述金属硅化物微晶体(110)的反应层(108)；

还包括：从所述反应层(108)形成第一和第二相间的电极(103a，103b)；并且

其中，在所述金属硅化物微晶体(110)上生长所述纳米结构(121)包括：在所述第一和第二相间的电极(103a，103b)的所述金属硅化物微晶体(110)上生长所述纳米结构(121)，使得所述纳米结构(121)横跨在所述第一和第二相间的电极(103a，103b)之间。

7.根据权利要求1的方法，

其中，所述多层结构(106)包括第一和第二相间的电极(103a，103b)；

其中，使所述多层结构(106)经受热处理以形成金属硅化物微晶体(110)包括：在所述第一和第二相间的电极(103a，103b)中形成所述金属硅化物微晶体(110)；并且

其中，在所述金属硅化物微晶体(110)上生长所述纳米结构(121)包括：在所述第一和第二相间的电极(103a，103b)的所述金属硅化物微晶体(110)上生长所述纳米结构(121)，使得所述纳米结构(121)横跨在所述第一和第二相间的电极(103a，103b)之间。

8.一种结构，包括：

非单晶基底(102)；

在所述非单晶基底(102)之上形成的层(108)，所述层包括金属硅化物微晶体(110)；以及

在所述金属硅化物微晶体(110)上形成的若干纳米结构(114)。

9.根据权利要求8的结构，

其中，所述层(108)限定第一电极(108，103a)；并且

还包括：与所述第一电极(108，113a)间隔开并且与所述纳米结构(114，121)的至少一部分电接触的第二电极(113，103b)。

10.根据权利要求8的结构，

其中，所述层包括若干第一地址线(142-150)，所述第一地址线(142-150)包括其上形成所述纳米结构(138)的金属硅化物微晶体(136)；并且

还包括若干第二地址线(151-155)，所述第二地址线与所述第一地址线(142-150)重叠以形成若干结(160)，所述结(160)的至少一部分包括所述纳米结构(138)的一个或多个。