[发明专利]在金属硅化物微晶体上形成纳米结构的方法和得到的结构和器件无效
申请号: | 200880006799.8 | 申请日: | 2008-02-28 |
公开(公告)号: | CN101622193A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | N·科巴亚施;S·-Y·王 | 申请(专利权)人: | 惠普开发有限公司 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;李家麟 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属硅 化物微 晶体 形成 纳米 结构 方法 得到 器件 | ||
1.一种用于形成纳米结构的方法,包括:
形成包括金属层(100)和硅层(104)的多层结构(106);
使所述多层结构(106)经受热处理以形成金属硅化物微晶体(110);并且
在所述金属硅化物微晶体(110)上生长所述纳米结构(114)。
2.根据权利要求1的方法,其中,每个纳米结构(114)包括下述之一:
量子点;以及
纳米线。
3.根据权利要求1的方法,
其中,使所述多层结构(106)经受热处理以形成金属硅化物微晶体(110)包括形成包括所述金属硅化物微晶体(110)的第一电极(108);并且
还包括在所述纳米结构(114)之上与所述纳米结构(114)的至少一部分电接触地形成第二电极(113)。
4.根据权利要求1的方法,还包括:
在生长所述纳米结构(114,138)之前,形成第一层地址线(116,142-150),所述地址线(116,142-150)的每一个包括金属硅化物微晶体(124,136);并且
在所述第一层地址线(116,142-150)之上形成第二层地址线(151-155),以形成若干结(160),所述结(160)的至少一部分包括所述纳米结构(114,138)的一个或多个。
5.根据权利要求1的方法,
还包括:在使所述多层结构(106)经受所述热处理之前,形成若干地址线(114),每个所述地址线包括所述金属层(100)的一部分和所述硅层(104)的一部分;并且
其中,使所述多层结构(106)经受热处理以形成金属硅化物微晶体(124)包括:将所述地址线的所选择的区域暴露于能量束(129)。
6.根据权利要求1的方法,
其中,使所述多层结构(106)经受热处理以形成金属硅化物微晶体(124)包括:形成包括所述金属硅化物微晶体(110)的反应层(108);
还包括:从所述反应层(108)形成第一和第二相间的电极(103a,103b);并且
其中,在所述金属硅化物微晶体(110)上生长所述纳米结构(121)包括:在所述第一和第二相间的电极(103a,103b)的所述金属硅化物微晶体(110)上生长所述纳米结构(121),使得所述纳米结构(121)横跨在所述第一和第二相间的电极(103a,103b)之间。
7.根据权利要求1的方法,
其中,所述多层结构(106)包括第一和第二相间的电极(103a,103b);
其中,使所述多层结构(106)经受热处理以形成金属硅化物微晶体(110)包括:在所述第一和第二相间的电极(103a,103b)中形成所述金属硅化物微晶体(110);并且
其中,在所述金属硅化物微晶体(110)上生长所述纳米结构(121)包括:在所述第一和第二相间的电极(103a,103b)的所述金属硅化物微晶体(110)上生长所述纳米结构(121),使得所述纳米结构(121)横跨在所述第一和第二相间的电极(103a,103b)之间。
8.一种结构,包括:
非单晶基底(102);
在所述非单晶基底(102)之上形成的层(108),所述层包括金属硅化物微晶体(110);以及
在所述金属硅化物微晶体(110)上形成的若干纳米结构(114)。
9.根据权利要求8的结构,
其中,所述层(108)限定第一电极(108,103a);并且
还包括:与所述第一电极(108,113a)间隔开并且与所述纳米结构(114,121)的至少一部分电接触的第二电极(113,103b)。
10.根据权利要求8的结构,
其中,所述层包括若干第一地址线(142-150),所述第一地址线(142-150)包括其上形成所述纳米结构(138)的金属硅化物微晶体(136);并且
还包括若干第二地址线(151-155),所述第二地址线与所述第一地址线(142-150)重叠以形成若干结(160),所述结(160)的至少一部分包括所述纳米结构(138)的一个或多个。
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