[发明专利]等离子蚀刻过渡金属氧化物的方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其包括过基于一氧化碳的过渡金属氧化物的等离子 蚀刻。

2.根据权利要求1所述的方法，其中从由镍的氧化物、铁的氧化物和 钴的氧化物组成的组中选择所述过渡金属氧化物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述过渡金属氧化物被冷却。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述过渡金属氧化物被冷却到小 于100摄氏度的温度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中使用施加的磁场来执行所述等离 子蚀刻。

6.根据权利要求1所述的方法，其中使用基本由一氧化碳组成的源气 体来执行所述等离子蚀刻。

7.根据权利要求1所述的方法，其中利用仅由一氧化碳和惰性稀释剂 组成的源气体来执行所述等离子蚀刻。

8.一种蚀刻方法，其包括：

使用基于一氧化碳的源气体来等离子蚀刻过渡金属氧化物的冷却薄 膜。

9.根据权利要求8所述的方法，其中从由镍的氧化物、铁的氧化物和 钴的氧化物组成的组中选择所述过渡金属氧化物。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述过渡金属氧化物被冷却。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述过渡金属氧化物被冷却到小 于100摄氏度的温度。

12.根据权利要求8所述的方法，其中使用施加的磁场来执行所述等离 子蚀刻。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述源气体基本由一氧化碳组 成。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述源气体仅由一氧化碳和惰性 稀释剂组成。

15.一种蚀刻镍的氧化物薄膜的方法，其包括：

使源气体流动，所述源气体除了可能存在的惰性稀释剂外主要包括一 氧化碳；

在所述薄膜附近产生辉光放电，由此诱导等离子体轰击；

冷却所述薄膜；以及

排出气体。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括将至少一种其他气体添 加到用于所述基于一氧化碳的等离子体的一氧化碳中。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述镍的氧化物薄膜与至少一 种导电材料堆叠。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述镍的氧化物层与至少一种 绝缘材料堆叠。

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述镍氧化物薄膜被冷却。

20.根据权利要求15所述的方法，其中所述镍氧化物薄膜被冷却到低 于100摄氏度的温度。