[发明专利]用于紫外线激发发光器件的荧光体、荧光体糊剂、和紫外线激发发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于紫外线激发发光器件的荧光体、荧光体糊剂和紫外线激发发光器件。

背景技术

紫外线激发发光器件包含通过紫外线照射激发发光的荧光体。作为紫外线激发发光器件可以列举激发的紫外线波长在200nm～350nm范围内的发光器件、激发的紫外线波长在100nm～200nm范围内的发光器件(有时也称为真空紫外线激发发光器件)。前者是例如用于液晶显示器的背光、三波长荧光灯、高负荷荧光灯，后者是例如等离子显示板，稀有气体灯。

特开2006-2043号公报中记载了由式Ba_0.98ZrSi₃O₉:Eu_0.02表示的真空紫外线激发发光器件用荧光体。

但是，公报记载的荧光体在紫外线照射下，发光亮度不够，另外，在发光光谱中(表示发光波长和发光强度关系的光谱)显示出最大发光强度的发光波长较大，因此，不足以用于发光器件。

发明内容

本发明的目的是提供一种适用于在紫外线照射下显示出较高的发光亮度而且在发光光谱中显示出最大发光强度的发光波长较短的紫外线激发发光器件的荧光体。

本发明者们为了解决上述课题专心进行了反复研究，直到完成本发明。

<1>、一种用于紫外线激发发光器件的荧光体，其包含作为基体的含M¹、M²和M³(M¹是至少一种选自Ba、Sr和Ca中的元素，M²是至少两种选自Ti、Zr和Hf中的元素，M³是至少一种选自Si和Ge中的元素)的氧化物和活化剂。

<2>、<1>记载的荧光体，其中氧化物由式(1)表示：

aM¹O·bM²O₂·cM³O₂       (1)

式(1)中，0.5≤a≤1.5、0.5≤b≤1.5、2≤c≤4。

<3>、<1>或<2>记载的荧光体，其中活化剂是Eu。

<4>、<1>～<3>中任一项记载的荧光体，其中M²包含Ti。

<5>、一种用于紫外线激发发光器件的荧光体，其由式(2)表示：

(M⁴_1-xEu_x)(Ti_1-yZr_y)Si₃O₉       (2)

式(2)中，M⁴是至少一种选自Ba、Sr和Ca中的元素，0.0001≤x≤0.5、0.8≤y＜1。

<6>、包含前述<1>～<5>中任一项记载的荧光体的荧光体糊剂。

<7>、一种荧光体层，其是利用包含了将前述<6>记载的荧光体糊剂涂布到基板后进行热处理的工序的方法来得到的。

<8>、包含前述<1>～<5>中任一项记载的荧光体的紫外线激发发光器件。

附图说明

图1是荧光体1的X射线衍射图。

图2是荧光体2的X射线衍射图。

图3是荧光体3的X射线衍射图。

图4是荧光体4的X射线衍射图。

图5是荧光体5的X射线衍射图。

图6是荧光体6的X射线衍射图。

具体实施方式

荧光体

本发明的荧光体包含含有M¹、M²和M³的氧化物。

M¹是Ba、Sr、Ca。它们可以单独或组合使用。M²是Ti和Zr的组合、Ti和Hf的组合、Zr和Hf的组合、Ti和Zr和Hf的组合。M³是Si、Ge。它们也可以单独或组合使用。

荧光体还包含活化剂。