[发明专利]预热塞驱动装置有效
申请号: | 200880007124.5 | 申请日: | 2008-03-03 |
公开(公告)号: | CN101631953A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 杉本仁;高岛良明;田中丰 | 申请(专利权)人: | 博世株式会社 |
主分类号: | F02P19/02 | 分类号: | F02P19/02;F23Q7/22;H02H11/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 闫小龙;蒋 骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 预热 驱动 装置 | ||
技术领域
本发明涉及主要用于柴油发动机的起动辅助的预热塞(glow plug)的驱动装置,特别涉及谋求工作的可靠性提高等的预热塞驱动装置。
背景技术
历来,作为这种驱动装置,一般构成为,例如,在车辆用的电池与预热塞之间,串联设置电力用MOS型场效应晶体管(以下,称为功率MOS FET),通过电力用场效应晶体管的栅极电压的控制,控制电力用场效应晶体管的导通/非导通,能够控制对预热塞的通电(例如,参照专利文献1等)。
但是,在上述的现有电路中,在电池被反连接时,由于功率MOS FET的结构而使得功率MOS FET保持导通的状态不变,不能控制其工作状态,因此,特别是在预热塞是低电压规格的情况下,存在引起预热塞的异常发热的问题。
专利文献1:日本专利申请特开平6-129337号公报
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的,其提供一种预热塞驱动装置,在电池被反连接的情况下,该预热塞驱动装置能够避免现有技术那样的向预热塞的不必要的通电,确保高可靠性的工作。
根据本发明的方式,提供一种预热塞驱动装置,其构成为,将与预热塞的数目对应地设置的、串联连接在预热塞与电池之间的场效应晶体管为导通状态,进行向上述预热塞的通电,其中,
在上述电池与接地之间,串联连接有反连接保护用的场效应晶体管或二极管。
发明的效果
根据本发明,在电池被反连接时,经由反连接保护用的场效应晶体管或二极管使逆电流从接地向电池流动,由此能够使设置在路径途中的保险丝熔断,因此,在反连接时能够迅速截断逆电流,避免向预热塞的通电,特别是能够可靠地避免低电压用的预热塞的过电流,起到能够确保可靠性更高的工作这样的效果。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的预热塞驱动装置的第一结构例的结构图。
图2是表示本发明的实施方式的预热塞驱动装置的第二结构例的结构图。
图3是表示本发明的实施方式的预热塞驱动装置的第三结构例的结构图。
符号的说明
1-1~1-n 电力用MOS型场效应晶体管
2 反连接保护用MOS型场效应晶体管(第一实施例)
3 电池电源连接端子
5 预热塞控制部用电源端子
6 反连接保护用二极管(第三实施例)
16a、16b 反连接保护用MOS型场效应晶体管(第三实施例)
具体实施方式
以下,一边参照图1~图3,一边对本发明的实施方式进行说明。
再有,以下说明的构件、配置并对本发明进行限定,能够在本发明的主旨的范围内进行各种改变。
首先,一边参照图1,一边对本发明的实施方式的预热塞驱动装置的第一结构例进行说明。
本发明的实施方式的预热塞驱动装置S构成为以如下部分为主要的结构要素:预热塞控制部(在图1中表示为“GCU”)51;与预热塞52-1~52-n的数目n对应地设置的电力用MOS型场效应晶体管(以下,称为“功率MOS FET”)1-1~1-n、和反连接保护用的MOS型场效应晶体管(以下,称为“反连接保护用MOS FET”)2。
预热塞控制部51构成为,对应于从控制车辆整体的工作的主电子控制单元(在图1中表示为“M-ECU”)101输入的、指示向预热塞52-1~52-n的通电的控制信号,输出功率MOS FET1-1~1-n的栅极控制电压。
通过规定的电压变换电路对车辆用电池(未图示)的输出电压进行降压后的电压,作为GCU用电源电压从外部经由预热塞控制部用电源端子5被施加在该预热塞控制部51上。
功率MOS FET1-1~1-n的漏极(或源极)均相互连接并与电池电源连接端子3连接,另一方面,源极(或漏极)与各自对应的预热塞52-1~52-n的规定的电压施加用端子(未图示)连接。再有,通常,在预热塞52-1~52-n中,与被施加电压的规定的电压施加用端子为相反侧的端子被形成为接地(车体地)。
反连接保护用MOS FET2的源极(或漏极)接地,另一方面,漏极(或源极)与功率MOS FET1-1~1-n的相互连接的漏极连接,相对于功率MOS FET1-1~1-n并联连接。而且,反连接防止用MOS FET2的栅极被形成为开路状态。
此外,在图1中,与功率MOS FET1-1~1-n、反连接保护用MOS FET2的各个并联连接的二极管是在晶体管内部形成的所谓的寄生二极管。
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