[发明专利]用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器的读取干扰减少电路

权利要求书

1.一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM，其包括：

位单元，其耦合到位线和源极线；以及

电阻性元件，其在所述位线中插入在所述位单元与读出放大器之间，其中所述电 阻性元件经配置以在所述位单元和所述读出放大器之间创造负电压压降。

2.根据权利要求1所述的STT-MRAM，其进一步包括：

隔离元件，其耦合到所述电阻性元件且插入在所述位单元与所述读出放大器之 间，其中所述隔离元件经配置以在读取操作期间将所述电阻性元件选择性耦合到所 述位线。

3.根据权利要求2所述的STT-MRAM，其中所述隔离元件和电阻性元件串联耦合在 所述位线中。

4.根据权利要求2所述的STT-MRAM，其中所述隔离元件是晶体管、开关、传输门 或多路复用器中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的STT-MRAM，其中所述电阻性元件是多晶体、阱或晶体管 装置中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的STT-MRAM，其中所述位单元包括：

磁性隧道结MTJ；以及

字线晶体管，其与所述MTJ串联耦合。

7.根据权利要求1所述的STT-MRAM，其进一步包括：

第一预充电晶体管，其耦合到所述电阻性元件，其中所述第一预充电晶体管经配 置以在读取操作期间将正电压提供到所述位线。

8.根据权利要求1所述的STT-MRAM，其进一步包括：

参考源；以及

参考电阻性元件，其耦合在所述参考源与所述读出放大器之间。

9.根据权利要求1所述的STT-MRAM，其进一步包括：

多个位单元，其耦合到所述位线和所述源极线，其中所述电阻性元件在所述位线 中插入在所述多个位单元与所述读出放大器之间。

10.根据权利要求2所述的STT-MRAM，其中所述电阻性元件是与所述隔离元件串联 耦合的离散元件。

11.根据权利要求1所述的STT-MRAM，其中所述电阻性元件是与绕过所述电阻性元 件的开关装置并联耦合的离散元件。

12.根据权利要求1所述的STT-MRAM，其中所述电阻性元件的电阻值是在1KΩ至 10KΩ的范围。

13.根据权利要求6所述的STT-MRAM，其中所述电阻性元件的电阻值是MTJ电阻的 0.25到5.0倍的范围。

14.一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM，其包括：

位单元，其耦合到位线和源极线；

电阻性元件，其在所述位线中插入在所述位单元与读出放大器之间，其中所述电 阻性元件经配置以在所述位单元和所述读出放大器之间创造负电压压降；

第一预充电晶体，其耦合到所述电阻性元件，其中所述第一预充电晶体经配置以 在读取操作期间将正电压提供到所述位线；

第二预充电晶体管，其耦合到所述位线；以及

第三预充电晶体管，其耦合到所述源极线。

15.根据权利要求14所述的STT-MRAM，其中所述第二预充电晶体管经配置以在所述 读取操作之前对所述位线进行放电，且所述第三预充电晶体管经配置以对所述源极 线进行放电。

16.一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM，其包括：

位单元，其耦合到位线和源极线；以及

电阻性元件，其在所述位线中插入在所述位单元与读出放大器之间，其中所述电 阻性元件经配置以在所述位单元和所述读出放大器之间创造负电压压降；

写入驱动器，其经配置以在所述位单元中存储逻辑状态；以及

两个写入隔离元件，其与所述写入驱动器串联耦合在所述位线与源极线之间，其 中所述写入隔离元件经配置以在写入操作期间将所述写入驱动器耦合到所述位线 和源极线。