[发明专利]TEM模式谐振器无效
| 申请号： | 200880007503.4 | 申请日： | 2008-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101689695A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 尼古拉斯·阿彻;克里斯托弗·伊恩·莫布斯 | 申请（专利权）人： | 埃瑟泰克电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P7/04 | 分类号： | H01P7/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张建涛;车 文 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tem 模式 谐振器 | ||
1.一种TEM模式谐振器，包括：
可调谐腔室，其由导电的腔室壁限定，所述腔室壁包括接地面、电容面和在所述接地面与所述电容面之间延伸的围绕壁；
导电的谐振构件，其位于所述腔室内，并且从所述接地面到所述电容面延伸部分路程；
所述谐振器构件靠近所述电容面的一部分包括凹陷部，所述凹陷部在其内具有孔；
调谐机构，其在所述可调谐腔室外，所述调谐机构包括穿过所述孔延伸到所述可调谐腔室内的调谐臂，且所述调谐机构适于使所述调谐臂朝向和远离所述电容面位移，
位于所述腔室内的所述调谐臂的至少一部分是调谐元件，所述调谐元件是金属或电介质。
2.根据权利要求1所述的TEM模式谐振器，其中，所述调谐臂是电介质。
3.根据权利要求1所述的TEM模式谐振器，其中，所述调谐臂是金属。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的TEM模式谐振器，其中，所述调谐臂沿其长度具有一致的横截面。
5.根据权利要求1所述的TEM模式谐振器，其中，所述调谐臂包括调谐元件和在所述调谐元件与所述调谐机构之间延伸的调谐杆，且所述调谐元件的横截面大于所述调谐杆的横截面。
6.根据权利要求5所述的TEM模式谐振器，其中，所述调谐元件是盘。
7.根据权利要求5或6所述的TEM模式谐振器，其中，所述调谐杆是金属、电介质或塑性材料中的任一种。
8.根据权利要求7所述的TEM模式谐振器，其中，所述调谐元件是电介质。
9.根据权利要求8所述的TEM模式谐振器，其中，所述调谐杆和调谐元件两者都是电介质材料，且所述调谐元件的介电常数大于所述调谐杆的介电常数。
10.根据权利要求7所述的TEM模式谐振器，其中，所述调谐元件是金属。
11.根据权利要求5至10中任一项所述的TEM模式谐振器，其中，所述调谐元件在其靠近所述电容面的面中包括凹陷部。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的TEM模式谐振器，其中，所述调谐机构适于使所述调谐元件从至少部分地位于所述谐振器构件的凹陷部内的缩回位置朝向所述电容板位移至伸出的位置。
13.根据权利要求12所述的TEM模式谐振器，其中，所述调谐臂适于使所述谐振器的谐振频率是位于所述可调谐腔室内的所述谐振臂的位置的线性函数。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的TEM模式谐振器，其中，所述调谐机构被布置在所述谐振器构件内。
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