[发明专利]双折射薄膜、层压薄膜和图像显示装置无效

专利信息
申请号: 200880007623.4 申请日: 2008-03-03
公开(公告)号: CN101627325A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: 松田祥一;宫崎顺三;井上彻雄 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G02F1/13363;C09K19/34
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 双折射 薄膜 层压 图像 显示装置
【权利要求书】:

1.一种双折射薄膜,其含有显示出溶致液晶性且由下述通 式X1表示的第1苊并[1,2-b]喹喔啉衍生物和显示出溶致液晶性 且由下述通式Y1表示的第2苊并[1,2-b]喹喔啉衍生物,折射率 椭球体满足nx≥nz>ny的关系,式中,nx、ny分别是指在双折射 薄膜的面内相互垂直的方向的折射率,其中,nx>ny,nz是指双 折射薄膜的厚度方向的折射率,

其中,式X1和式Y1中,A各自独立地表示选自-COOM、 -SO3M、-PO3M、-OM、-NH2和-CONH2的取代基,其中,M为 抗衡离子;a表示A的取代数,为1~3的整数;B各自独立地表示 选自卤素原子、-COOM、-SO3M、-PO3M、-OM、-NH2、-NO2、 -CF3、-CN、-OCN、-SCN、-CONH2、-OCOCH3、-NHCOCH3、 碳原子数1~4的烷基和碳原子数1~4的烷氧基的取代基,其中, M为抗衡离子;b表示B的取代数,为0~4的整数。

2.根据权利要求1所述的双折射薄膜,前述第1苊并[1,2-b] 喹喔啉衍生物由下述通式X2表示,

其中,式X2中,A、B和b与式X1中的A、B和b相同。

3.根据权利要求1所述的双折射薄膜,前述第1苊并[1,2-b] 喹喔啉衍生物由下述通式X3表示,

其中,式X3中,A和a与式X1中的A和a相同。

4.根据权利要求3所述的双折射薄膜,前述通式X3的A为 -COOM或-SO3M。

5.根据权利要求1所述的双折射薄膜,前述第2苊并[1,2-b] 喹喔啉衍生物由下述通式Y2表示,

其中,式Y2中,A、B和b与式Y1中的A、B和b相同。

6.根据权利要求1所述的双折射薄膜,前述第2苊并[1,2-b] 喹喔啉衍生物由下述通式Y3表示,

其中,式Y3中,A和a与式Y1中的A和a相同。

7.根据权利要求6所述的双折射薄膜,前述通式Y3的A为 -COOM或-SO3M。

8.根据权利要求1所述的双折射薄膜,其中,相对于100 质量份总固体成分,包含1质量份~99质量份前述第1苊并[1,2-b] 喹喔啉衍生物、包含1质量份~99质量份前述第2苊并[1,2-b]喹喔 啉衍生物。

9.根据权利要求1所述的双折射薄膜,其通过将包含前述 第1苊并[1,2-b]喹喔啉衍生物和前述第2苊并[1,2-b]喹喔啉衍生 物的溶液涂布到基材上、干燥而获得。

10.根据权利要求1所述的双折射薄膜,波长590nm下的面 内的相位差值Re[590]为20nm~1000nm,其中,Re[590]是指在 23℃下、波长590nm下的双折射薄膜的面内的相位差值,Re[590] 通过将双折射薄膜的厚度设为d时的Re[590]=(nx-ny)×d求得,d 的单位为nm。

11.根据权利要求1所述的双折射薄膜,波长590nm下的厚 度方向的相位差值Rth[590]为0nm~1000nm,其中,Rth[590]是 指在23℃下、波长590nm下的双折射薄膜的厚度方向的相位差 值,Rth[590]通过将双折射薄膜的厚度设为d时的 Rth[590]=(nx-nz)×d求得,d的单位为nm。

12.根据权利要求1所述的双折射薄膜,Nz系数为0~0.5, Nz系数为以波长590nm为基准、由Rth[590]/Re[590]算出的值, 其中,Rth[590]和Re[590]的定义与上述相同。

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